半导体材料的新发展

近来,半导体科学主要的发展方向是制作高完整性和大面积杂质均匀的衬底材料和超薄外廷材料,并研究它们的特殊性能。本文主要对半导体材料的发展作一简单评述。     

工作扎实、讲究实效、扩大应用

《全国传感器敏感材料、元件及其应用学术交流会暨展览会》是一次很成功的会议,它不仅进行了学术交流、互通信息而且对我国的传感器应用和发展将起到积极的促进作用。 1980年,在研讨仪表材料的发展方向时,我曾向仪表材料学会建议把半导体传感材料作为发展方向     

高压液封直拉InP单晶的低温光致发光研究

研究了高压液封直拉InP 单晶在 4.2 K、1.8K和 4.2至～40K三种温区的光致发光谱.除看到了1.416eV处的近带边峰和1.1-1.2eV处与P空位有关的络合物峰外,还观察到1.377eV(A峰)和1.368eV处(B峰)的两个峰及它们在低能方向的一级、二级、三级声子伴线.初步确定A峰、B峰分别与受主杂质Zn、Cd有关.实验测定了InP中纵向光学声子(Lo)的能量约为43meV,并给出了电子、声子耦合强度s值.     

掺铟低位错密度的半绝缘砷化镓

掺等电子杂质铟生长了低位错密度的半绝缘砷化镓晶体.晶体中位错腐蚀坑密度达到约10~2/cm~2数量.晶体中没有观察到铟的微沉淀物.     

用固溶强化模型计算InP中等价电子杂质对位错的钉扎力

本文根据固溶强化模型,考虑了等价电子杂质在InP单晶中的溶解度以及掺入杂质与基质原子之间共价半径之差引起的弹性失配.计算了这些杂质在InP 中对位错的钉扎力可达10~9～10~(10)达因/厘米~2,从而很好地解释了等价电子杂质降低位错密度的作用.     

大截面低位错水平法GaAs单晶研制

本文在水平生长 GaAs 单晶中首次应用了等电子掺杂技术,在制备大截面晶体进一步降低位错密度方面取得了显著效果。研制的 HB-12型单晶(100)片面积达到12cm~2,位错密度<500cm~(-2),研制的 HB-18型单晶(100)片面积达18cm~2,位错密度<5000cm~(-2)。     

掺Fe-InP单晶电阻率的估算和几个有关的问题

本文分析了Fe在InP晶体中的补偿过程,其中存在着一个从低阻N型半导体向半绝缘体过渡的过程。对掺Fe-InP晶体的电阻率ρ与掺入的Fe的重量百分比Fewt/。之间的关系作了粗略的定量计算。电阻率的计算值与实验值之间在一个数量级以内是相符合的。讨论了掺Fe-InP晶体电阻率的极大值和高阻晶体导电型号等几个有关的问题.     

等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响

用光致发光和正电子湮没技术研究了掺Sb InP单晶的“本征缺陷”。发现元素Sb的掺入导致磷空位(V_p)或者是V_p与杂质络合物的光致发光峰消失。用正电子湮没技术的测量也表明掺Sb的InP晶体中单空位浓度有所降低,两种方法测量的结果对应得很好。我们认为InP中掺Sb能有效地降低晶体中的本征缺陷。     

半导体材料的新发展

近来，半导体科学主要的发展方向是制作高完整性和大面积杂质均匀的衬底材料和超薄外延材料，并研究它们的特殊性能，本文主要对半导体材料的发展作一简单评述。     

化合物半导体功能材料

一、前言随着工业和技术的发展,世界各国都重视材料科学的研究工作。目前对高功能性高分子材料、精细陶瓷材料、新金属材料、半导体功能材料以及各种复合材料进行积极的研究工作。下表示出日本对这几种材料的研究经费投资情况。