慧鱼建筑锚栓 安全可靠新概念

建筑市场的蓬勃发展推动了国内紧固件水平的提高,同时吸引了来自世界各地的紧固件生产厂家,慧鱼集团无疑是这一领域的专家,它的加入给施工单位带来了更大的选择余地。 1948年,德国发明家阿图菲舍尔博士创建了慧鱼公司,经过几代慧鱼人的不懈努力,公司已发展     

GaAs和InP化合物半导体的发展趋势及应用

第二代半导体材料砷化镓和磷化铟广泛应用于5G通信、数据中心、新一代显示设备、无人驾驶、可穿戴设备、航天等领域,在光电领域的应用日渐成熟,国内上中下游产业布局趋于完善,下游市场规模将快速增长。对GaAs和InP化合物半导体的发展趋势及路线进行了综述。     

梯度凝固法晶体生长应用磁场的研究进展

在梯度凝固法晶体生长中应用磁场可以有效提高溶质分布的均匀性，改善生长界面的形貌。主要综述了在VGF法或VB法晶体生长中应用磁场的研究进展，包括行波磁场、旋转磁场和交变磁场的产生原理，以及三种磁场在熔体中形成的对流模式和对晶体生长的影响。提出了三种磁场各自的优势和在实际晶体生产上的应用前景。     

VGF法中降温速率对InP单晶生长的影响

垂直梯度凝固(VGF)法生长磷化铟(InP)单晶时产生的缺陷主要有孪晶、位错、多晶等，这些缺陷严重影响了InP单晶的产量与品质。首先简述了VGF法生长InP单晶过程中容易产生的主要缺陷，然后通过实验对各生长阶段的降温速率进行调整，成功改善了孪晶、位错重复出现的情况。实验结果表明，增大放肩过程的降温速率有利于抑制放肩过程产生的内切孪晶，但容易增加晶体肩部的位错密度，至等径部位发生位错增殖。为解决此问题，实验在增加放肩降温速率的同时，适当减小了等径降温速率，从而有效抑制了等径部位的位错增殖。最终，实验中生长出了平均位错密度低于50 cm^-2的高质量掺S InP单晶。