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1.
CMOS集成电路的ESD模型和测试方法探讨
总被引:2,自引:1,他引:1
徐骏华
向宏莉
令文生
《现代电子技术》
2004,27(9):70-73
随着超大规模集成电路工艺的高速发展,特征尺寸越来越小,而静电放电(Electrostatic Discharge)对器件可靠性的危害变得越来越显著。因此.静电放电测试已经成为对器件可靠性评估的一个重要项目。介绍了ESD的4种等效模型:人体、机器、器件充电和场感应模型,以及各模型的特点和等效测试电路。同时较详细的介绍了ESD的测试方式和方法。
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