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采用脉冲直流溅射的方式沉积IGZO膜层作为底栅结构TFT的有源层,并在背沟道上涂覆不同类型的光刻胶作为保护层,探讨不同保护层对器件电学特性的影响。经考察发现:采用光刻胶作为保护层时,保护层制作后短期内可维持器件的电学特性基本不变;但涂胶后暴露在空气中一定时间后,器件的电学特性开始衰退,尤其是阈值电压变化较明显,器件工作模式由增强型变为耗尽型,并推断光刻胶中溶剂接触到背沟道中IGZO,其化学反应导致沟道中氧脱附,载流子浓度增加。实验还发现:使用SU-8负性光刻胶作为保护层的器件,其电学特性衰退较小,在空气中放置一段时间后表现最稳定。 相似文献
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提出了一种在微机控制无触点交流稳压电源中作为电子开关的晶闸管模块的推挽触发方法。实际使用证明该方案可靠有效。 相似文献
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介绍了一种简单、控制容易、零投入浪涌的换向电路,它可以代替交流接触器,用于频繁切换的各种工频电路。 相似文献
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雷达部队指挥辅助决策分析系统的设计和实现 总被引:2,自引:0,他引:2
针对目前雷达部队人工指挥存在的效率低、反应慢等问题,提出了利用C 集成开发平台,融合数据库技术和人工智能原理,研制雷达部队指挥辅助决策分析系统的方案.给出了设计思想、硬软件方案及程序框图,并讨论了关键技术. 相似文献
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在无触点电力稳压源中,采用了晶闸管作为开关器件,较好地解决了晶闸管在使用中存在的一些问题。 相似文献
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采用脉冲直流(Pulsed DC)方式和不同的单组份气体(Ar、O2、N2)溅射制作IGZO,研究了缺氧(Ar)、富氧(O2)、氧替代(N2)三种情形下的IGZO-TFT特性。通过AES、XRD、AFM等分析手段,考察了不同气体制备的IGZO膜以及相应靶材的成分及结构,发现不同的溅射气体对IGZO膜的成分比例和电学结构具有重要的影响。实验结果表明,Ar-IGZO TFT在退火后具有良好的特性,S值为1 V/dec,迁移率可达8.3 cm2/Vs,开关比Ion/Ioff≥105。 相似文献
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