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1.
离子注入MOS有效少子产生寿命空间分布的确定
黄庆安
吕世冀
《电子学报》
1990,18(5):65-69
本文讨论了深耗尽MOS电容器的少子产生机构,提出测量有效少子产生寿命空间分布的方法。对低剂量注B的样品进行了测量,结果表明注入层比体内的有效少子产生寿命低,从Si-SiO_2界面到体内,有效少子产生寿命逐渐增大,最后到达注入离子没有穿透的体区,保持一常数。
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