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本文对低温生长的垂直场ＭＱＷｓ光折变器件电吸收瞬态特性进行了研究,在分析垂直场ＭＱＷｓ器件结构后,我们认为电光层并不单独由多量子阱层构成,而是包括多量子阱层和两边低温生长的缓冲层构成,为此,我们提出了改进的阻容模型,并用这一模型很好地解释ＴＭＱＷｓ光折变器件电吸收瞬态特性的实验结果,同时对ＭＱＷｓ器件性能的提高提出了建议．本文还对垂直场ＭＱＷｓ光折变器件的读光、写光与衍射效率关系进行了研究,给出了垂直场ＭＱＷｓ器件工作的最佳光强条件,并对实验现象进行了解释,指出了由于同样是读光、写光增强导致器件… 相似文献
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