磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备

分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了"开盒即用(EPI-READY)"、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片.     

一种改进的代理环签名方案

本文针对Lang等提出的代理环签名方案存在着无法实现的问题,提出了一种改进的代理环签名方案,该方案能够有效防止原始签名者伪造代理环签名,因而代理签名者的利益得到了保护。与Zhang提出的代理环签名方案相比,我们的方案将签名验证过程中所需的双线性对计算量由O(n)降低到O(1),计算效率更高。     

不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析

对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga-Sb价键存在于衬底内部,反而氧化程度较低,表面较光滑.分析比较了GaSb晶面表面化学组分与形貌的关系.     

单级齿轮传动系统的Hopf分岔与混沌研究

为研究齿轮传动系统中齿侧间隙等非线性因素对系统振动特性的影响,综合考虑齿侧间隙、时变啮合刚度、综合啮合误差和轴承纵向响应,建立了三自由度单级直齿轮副传动系统的扭转振动非线性动力学模型;采用变步长4-5阶Runge-Kutta法,对系统运动的状态方程进行了数值求解;构建了系统的Poincaré截面,得到了系统的分岔图。结合系统相图、Poincaré映射图及FFT频谱图,分析了系统在激励频率变化时的动力学特性,发现系统在不同激励频率下会发生Hopf分岔、环面倍化、擦切分岔及倍化分岔。     

升华法生长AlN体单晶初探

研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象.     

化学气相传输法大尺寸ZnO单晶生长模式控制

借助传输剂的作用,化学气相传输法(CVT)ZnO单晶生长过程具有足够高的组分过饱和蒸气压,因而具有很强的生长驱动力.控制单晶的成核和生长模式成为获得大尺寸ZnO单晶的关键.对不同条件下CVT法ZnO单晶生长的实验现象、晶体表面形貌和晶体质量进行了研究分析,给出了晶体生长模式与生长温度、化学配比等条件的关系.并在此基础上实现了ZnO单晶的二维成核生长模式的控制,获得厚度均匀、单一晶向的高质量大尺寸ZnO单晶.     

空射巡航导弹作战使用探讨

在最近十年来的局部战争中 ,由于美国大量使用空射巡航导弹 ,使战役、战术发生了巨大变化 ,对战争结果也产生了巨大的影响。空射巡航导弹具有射程远、精度高、生存能力强等诸多优点 ,它在现代高技术战争中显示出的优势是非常明显的 ,并因此而引发了世界范围内对这种武器作战使用的广泛关注和研究。空射巡航导弹的实战使用及明显优势由于军事发达国家的空军大量装备和使用远程杀伤性武器(按照北约目前的分类方法 ,射程大于 10 0km的空军杀伤性武器属于远射程武器 ) ,使这类武器在军事冲突中所起的作用得到极大提高 ,并消弱了防御方国家的防空…     

世界军用飞艇发展新动向

世界上许多国家通过积极利用航空领域取得的科技成果为发展国民经济和提高军队战斗力服务 ,其中一个很重要的方向是 ,飞艇和高空气球等轻于空气的浮空飞行器正在重新引起人们的兴趣和重视。科技发达国家正在积极制定开发新一代轻于空气的自行式或牵引式浮空飞行器的研究计划 ,正在研究的这类飞行器的典型代表是飞艇和高空气球 ,特别是无砂囊自行式多用途飞艇。世界上许多国家都有建造和使用飞艇的历史 ,只是受当时技术水平的限制 ,特别是其它先进飞行器的迅速发展 ,使这类浮空飞行器的研制陷入低潮。而目前科学技术水平的发展将使这种古老飞…     

高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料

对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测试结果表明IP-SI InP衬底具有很好的电学性质和均匀性,而PP-SI的均匀性和电学参数都很差.在IP-SI样品的PL谱中出现与深缺陷有关的荧光峰.光激电流谱的测量结果表明:在IP气氛下退火获得的半绝缘磷化铟中的缺陷明显比PP-SI磷化铟的要少.并对退火后磷化铟中形成缺陷的机理进行了探讨.     

AlN原料的钨网炉高温提纯

商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长。与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果。本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提纯处理,通过X射线能谱仪(EDS)、气体分析技术(IGA)和辉光放电质谱仪(GDMS)对烧结处理后AlN的杂质含量进行了测试分析,结果表明经钨网炉高温烧结处理后,AlN原料中杂质含量明显降低,其中的氧、碳去除效果显著。还进一步分析了杂质挥发、原料损耗随温度、时间变化的规律。