复铼膜阴极的发射和表面特性

本文报道了复铼膜扩散阴极的发射和表面特性的研究结果,并与S-型阴极进行了比较。实验结果表明:S-型阴极复铼膜后,其热电子发射明显提高,且分布均匀。月极表面上主要元素的俄歇像显示Ba在复铼膜阴极表面上的分布要比在S-型阴极表面上均匀得多,Ba的低能Auger谱和XPS的研究表明:与S-型阴极相比Ba在复铼膜阴极表面上呈现更强的金属特性。这可能是S-型阴极复铼膜后发射增大的主要原因。     

平滑型耐高温碳场发射体SCFE在真空X射线管内的试用

为改进便携式RTx-150Ⅱ型X射线机内真空园锥靶脉冲X射线管的性能,研制成功了一种平滑型耐高温碳场电子发射体SCFE,该SCFE阴极首次装入X射线管即表现出了良好的性能,目前装入整机已1年多,尚未见有发射性能衰变,与该管以前采用的耐高温碳场电子发射体CFE比较,除阴极表面光洁度、体积密实度大大提高,管内零件安装更精密,与管内其他电极的接触更完善等较明显的改善外,阴极总厚度降低至1 mm,特别是发射尖端处的厚度减小到了微米量级,电子发射的区域更加集中,初步试用的结果显示,电子发射性能、整管的工作稳定度都确有提高.     

制造大面积超长钨发射体阵列W－UFEA的光电子学方法

本文简单介绍用光电子学拉丝法制造大面积非门控（或门控）超长金属杆状阵列场发射阴极ＵＦＥＡ（Ｕｌｔｒａ－ＬｏｎｇＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＡｒｒａｙ）的初步实验结果。     

EMISSION AND SURFACE CHARACTERISTICS OF A DISPENSER CATHODE COATED WITH RHENIUM

The emission and surface characteristics of a dispenser cathode coated with Re arestudied.It is found that the dispenser cathode coated with Re has both higher current densityand more uniform distribution of emission than the S-type cathode.The Auger images of Bashow that the Ba distribution on the surface of the cathode coated with Re is more uniform thanthat on the surface of the S-type cathode.The analytical results by XPS and low energy AESshow that the Ba on the surface of the cathode coated with Re has stronger metallic propertythan that on the surface of the S type cathode.     

碳场电子发射体的应用研究

本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VMF/VNE)领域内获得成功的方面.研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(CFE)与平滑型碳场电子发射体(SCFE)的氖发光管,采用平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)、阵列硅场电子发射体(Si-FEA)的封离式全玻璃平板真空荧光光源管(FP-VFLT),采用寻址式碳纳米管(CNT)薄膜阵列场电子发射体(CNT-FEA)的封离式全玻璃平板摄像管(FCT)与平板显像管(FDT),采用碳纳米管(cNT)薄膜场电子发射体的封离式全玻璃超薄平板字符管(FCT).碳场电子发射体的应用研究工作也涉及到一种商用真空X射线管,及大面积碳纳米管(CNT)薄膜作为微波吸收材料的初步探讨.本文报导了这些研究工作达到的阶段成果.     

多孔钨饼与钼筒的电子束焊接

钡钨阴极具有大发射,耐轰击,抗中毒等特点,多年来已广泛应用于各种微波器件中,特别是要求大电流密度的大功率管中。 实践中发现,渍制钡钨阴极靠浸渍的铝酸盐来固定多孔钨饼与钼筒是不够牢靠的,特别是当阴极尺寸较大,要求可靠性又较高的时候。为了解决这个问题,我们采用了电子束焊接工艺。 电子束焊接具有能量密度大、穿透深,精度高以及在真空中焊接不氧化,不渗杂的优