In-Zn合金中Zn的分布均匀性及含量的测定

一、引言 InP材料可用于制作太阳能电池、双异质结激光器和MOS晶体管等器件,在半导体技术中应用日益广泛。制作InP器件时通常掺入Zn作为P型杂质。为了使掺杂浓度便于控制,许多情况下采用In-Zn合金作掺杂源。In-Zn合金是用真空熔融法制备的。要重复和准确地控制Zn在InP中的掺杂浓度,Zn在In中应该均匀分布。为此有必要建立一种检验In-Zn合金中Zn的分布均匀性的简便方法。     

气相色谱法测定薄膜中氢含量

本文介绍用气相色谱法测定氮化硅膜,非晶硅膜,氮化硼膜中的总氢含量及不同温度下氢的热释放率。该方法灵敏度高,简便准确可靠,样品量少,并且不需作特殊处理,可进行定量测定。     

LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响

本文利用共振核反应定量地确定了LPCVD氮化硅敏感膜中,氢原子浓度及其分布.我们不仅证实了在825℃温度下,淀积的氮化硅敏感膜内存在氢原子,而且敏感膜表面所存在氢原子浓度为8—16×10~(21)cm~(-3),它高于敏感膜体内,其体内的氢原子浓度为2-3×10~(21)cm~(-3),而且敏感膜表面氢原子浓度大小与膜表面的制备条件密切相关,同时我们还利用傅利叶交换红外透射吸收光谱,确定了LPCVD氨化硅敏感膜中存在Si-O(1106cm~(-1))N-H(1200cm~(-1)),Si-H(2258cm~(-1))和N-H(3349cm~(-1))的化学键配位结构.敏感膜表面氧的存在严重地影响ISFET的能斯特响应和线性范围,而敏感膜表面的Si-H,N-H和N-Si 的化学键结构存在,有利于改善pH-ISFET 的灵敏度和线性范围.     

气相色谱测定非晶硅薄膜中氢含量

本文介绍用气相色谱法测定非晶硅薄膜中氢的总含量及不同温度下氢的释放率,这种方法比过去在氢的热释放实验中采用的气压测定法更可靠.