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本文提出一款工作在亚阈值(200 mV)区域且具有极低泄漏电流的亚阈值SRAM存储单元。该存储单元采用自适应泄漏电流切断机制,该机制在没有带来额外的动态功耗和性能损失的前提下,同时降低动态操作(读/写操作)和静态操作时的泄漏电流。差分读出方式和可配置操作模式的应用,使得本文设计在亚阈值条件下(200 mV)仍然保持足够的鲁棒性。仿真结果表明,相比于参考文献中的亚阈值存储单元本文设计具有:(1)在不同的工艺角下,均具有较大的读噪声容限和保持噪声容限;(2)在动态操作和静态操作时均具有极低的泄漏电流。最后,我们将该存储单元成功的应用于IBM 130nm工艺下的一款 bits存储阵列中,测试结果表明该存储阵列可以在200 mV电源电压条件下正常工作,所对应功耗(包括动态功耗和静态功耗)仅0.13 μW,是常规六管存储单元功耗的1.16%。 相似文献
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