首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1篇
  免费   0篇
无线电   1篇
  2011年   1篇
排序方式: 共有1条查询结果,搜索用时 62 毫秒
1
1.
对6T SRAM的访问时间进行解析,得到在随机掺杂波动影响下6T SRAM访问时间的模型,结果与HSPICE仿真结果相符.通过分析偏置技术与访问失效率的密切关系,提出采用偏置技术降低存储单元访问失效率的方法.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号