TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体发光动力学研究

本工作采用时间分辨的OES技术,研究了TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体过程。探测到了Si,Si~+,Si~(2+),SiH~+,SiH,Si_2和H,并测量了它们的时间演变过程;实验还研究了OES随样品气压和激光能量的变化;探讨了SiH_4的分解及其碎片之间的反应过程,提出SiH_4的主要分解通道为产生Si的通道。本工作对SiH_4 LPCVD动力学研究有重要意义,对低温等离子体研究也有一定参考价值。     

OLD诊断SiH_4的LPCVD动力学过程

用光声激光偏转(OLD)测量了强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4-H_2系统产生等离子体淀积(LPCVD)硅薄膜过程中的激波效应,证明激光击穿SiH_4诱发的激波效应是LPCVD中基本的气体动力学过程,并讨论了激波对膜生长的影响。     

OLD诊断SiH_4的LPCVD动力学过程

用光—声激光偏转(OLD)技术研究了激光等离子体淀积(LPCVD)硅膜中的激波动力学过程。证明激波对淀积膜的结构、均匀性及面积有重要影响。     

激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.     

SiH自由基A~2Δ—X~2∏跃迁光谱研究

本工作用OMA系统和高分辨单色仪同时测量了硅烷激光等离子体和放电等离子体的发光谱以及两种等离子体条件下的SiH A~2△——X~2Ⅱ跃迁0——0带光谱。讨论了SiH 0——0带光谱在两种等离子体内的区别。