微波组件幅相特性影响因素分析

以移相模块为例,仿真分析了电路基板的材料参数和微组装工艺参数对微波组件幅相特性的影响。基板的介电常数变化对组件相位的影响极大,对损耗的影响可忽略;介质损耗角正切和金属表面粗糙度变化对传输损耗的影响较大,对组件相位影响可忽略;级联金丝弧高和跨距变化对信号幅度和相位的影响较大。为保障微波组件的幅相一致性,应提高基板材料参数和微组装工艺参数的一致性;为提高组件性能,级联金丝的弧高应小于0.20 mm,金丝跨距应小于0.30 mm。     

基于卡尔曼滤波的短期负荷预测

介绍了基于极大后验噪声估值器的自适应卡尔曼滤波算法,并将此算法用于次日整点的电力系统负荷预测。自适应卡尔曼滤波模型的阶用Hankel矩阵法辨识,模型参数采用最小二乘法辨识。针对建模过程中噪声估值器失去半正定性和正定性的情况,对噪声估值器作了平方根处理,经Matlab仿真验证,该处理方法是可行的。     

稀氮 Ⅲ-Ⅴ族InAsN和InSbN中长波红外光电材料与器件

将少量氮原子加入Ⅲ—Ⅴ族半导体后可引起能带减小,因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪。这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质,并且具有应用于新型光电器件的潜力。特别是,备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值,并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用。     

基于单端电气量法故障测距的研究

提出了一种利用单端电流、电压基于故障分析法的高压输电线路测距算法.故障分析法就是利用线路故障时测量的电压、电流,通过分析和计算求出故障点离M端的距离,该算法从原理上对高压线路不考虑对地分布电容和考虑对地分布电容两者测距进行比较,并利用Matlab/Simulink进行仿真,结果表明该算法在考虑对地电容的条件下具有较高精度.     

HVDC换流器故障分析与仿真研究

介绍了HVDC换流器的几种短路故障工作原理,对HVDC换流器阀的短路故障以及换流器直流侧短路故障、交流侧单相接地故障、交流侧相间故障进行了详细地分析.在Matlab/Simulink下对HVDC换流器的故障进行了仿真,并选取了故障特征量进行了采样,通过编程仿真,得出几种故障的特征量曲线波形图,清晰地说明了高压直流输电中阀故障对输电系统可靠性造成的极大危害.     

纳米铜在电子封装中的应用研究进展

对纳米铜在电子封装领域的应用优势进行了简要分析,从材料制备、烧结技术和材料性能三个方面回顾了纳米铜性能调控技术的最新研究成果,评述了还原性稳定剂、表面配位诱导深度晶面重构以及核壳结构等纳米铜抗氧化技术的工程应用价值,分析了低温无压热烧结以及大气环境下的光子烧结的发展趋势.从应用模式和性能的视角介绍了纳米铜在高可靠全铜互...     

GaSb量子点液相外延生长

采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.     

液相外延制备的InAs0.94Sb0.06薄膜的光学性质

采用液相外延方法在In As衬底上制备了In As0.94Sb0.06外延薄膜.分别通过高分辨率X射线衍射谱和扫描电子显微镜测试对样品的结构特性和截面形貌进行表征分析,外延薄膜的晶体质量较好.利用样品在3 000~6 000 nm波段内的椭圆偏振光谱,结合介电函数模型,拟合得到了室温下In As衬底和In As0.94Sb0.06薄膜位于禁带位置附近的的折射率和消光系数光谱.由禁带位置附近的折射率能量增强效应确定In As0.94Sb0.06薄膜的禁带宽度为0.308 e V.