DC/DC单粒子效应的多通道高速测控系统实现

设计了一种多通道高速数据采集测控系统,用于监测DC/DC电源在单粒子试验中发生的单粒子效应。系统基于PXIe总线构建,采用程控仪器组网方式,数据总线传输速率最高达400 MB/s。对DC/DC器件在中科院近代物理研究所的加速器上进行了单粒子效应试验,并利用本测控系统进行单粒子效应检测,结果表明,系统可有效地检测DC/DC电源的单粒子效应。未来,系统可广泛应用于宇航用国产DC/DC电源的考核工作中,应用前景广阔。     

成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响

分别采用轧膜与流延两种成型工艺制备了SrTiO3高介单层微波陶瓷电容器材料,对比研究了两种成型工艺对其结构与性能的影响。研究表明:对于轧膜工艺而言,电容器陶瓷材料的εr和密度随着轧膜次数增加呈单峰效应,瓷料脱辊后轧膜70次左右可获得表面平整、结构致密、介电性能良好的电容器陶瓷材料。和流延工艺相比,轧膜工艺制备的电容器陶瓷材料εr较大,电容量温度变化率较小。     

IGBT模块测试适配器设计及寄生电感提取方法

分析了大功率绝缘栅门极晶体管(IGBT)模块测试适配器寄生电感的构成及其形成机理。通过理论分析及Q3D建模仿真叠层母排结构适配器并提取寄生电感,分析适配器寄生电感的计算方式,并通过原装进口适配器与设计制作的适配器进行测试试验,得到两者的寄生电感相当。试验结果表明,叠层母排结构适配器可以有效降低其寄生电感,并且通过IGBT模块开通阶段的波形参数可准确得到适配器的寄生电感。     

器件热阻随测试结温变化规律研究

为探究半导体分立器件电学法热阻测试时器件结温与热阻的变化规律,开展了基于热阻测试实验分析。详细介绍了热阻测试程序和典型热阻测试电路,并对4款典型VDMOS器件开展热阻测试,结合器件结构特性、热响应曲线和微观导热理论中声子导热系数与温度关系,研究获得器件热阻与结温的变化规律。通过热阻与结温的正相关性规律,有效提升器件在老炼和实际工况下结温计算的准确性。     

红外热像法发射率校正及电学法温度补偿方法

主要对提升半导体分立器件红外热像法结温测量精度，及其与电学法温度补偿技术进行研究，从而实现电学法与红外热像法两者在结温方面的互通性。根据器件材料在不同温度下有不同发射率的理论基础，结合试验研究器件高结温发射率校正技术提升红外热像法结温测试精度，在此基础上理论与试验分析红外热像法与电学法的温度补偿方法，实现只进行红外热像法与电学法中的一种方法就可获得另一种方法的结温。