高速CMOS逻辑电路的可靠性特点

本文提供了市场上称作QMOS的新的高速CMOS器件的可靠性试验资料。讨论了早期开发产品的可靠性特点;并给出了一万多个塑封器件在加速应力条件下经受鉴定和鉴定后的试验数据。所产生的数据证明最终的塑封产品可靠性极其良好,与很成熟的LSTTL工艺相比而言。所提供的数据还证明高速CMOS器件在机械和环境应力极限条件下稳定性很好。     

μPD41256 256k DRAM

一九八○年以来,各公司在国际固体电路会议上发表了256k动态随机存储器(DRAM)样品。大量生产256k是否有可能,首先要推断出它的芯片尺寸。如果采用300密尔的双列直插式封装,长边就为9mm、短边就在5mm以下,最大芯片面积只能是45mm~2左右。另外,还受芯片成本的限制。每块大圆片上的芯片数与芯片面积成反比。决定芯片好坏的缺陷在每块单位面积的缺陷密度相同的情况下则与芯片面积成正比。因     

油田企业基建工程招标管理探索

随着我国市场经济的发展,建筑行业的竞争也日趋激烈,建设工程的招投标是建筑工程的关键,对于社会资源的合理配置十分重要。而对于油田企业来说,建设工程的招投标决定着油田项目的质量和成本,对于油田企业的发展至关重要。但目前我国一些油田企业基建工程招标管理中存在很多问题,操作程序不规范,竞争不充分等现象时常发生,因此本文将对油田企业基建工程招标管理的问题进行分析,并对其管理对策和方法展开研究,进一步完善油田企业对于基建工程招标的管理。     

ECL电路可靠性研究

一、引言 可靠性是产品的一个重要指标,是对产品保持其性能的衡量。 随着科学技术的发展,电子系统的使用日益广泛,在很多重要场合起着关键作用。国民经济各部门、现代化的武器装备、现代化通讯以及航天所用的电子设备日趋复杂,所用电子元器件的数量愈来愈多,对电子设备及电子元器件的可靠性要求也愈来愈高。电子产品的可靠性已成为     

最近的SOI技术及器件制作

在绝缘物上形成硅晶层的SOI(绝缘体上的硅)工艺是将来诸如三维电路之类的超大规模集成电路的基础技术。除此而外,还打算把它用于显示仪等的器件的薄膜晶体管(TFT)制作工艺,以及用于改善CMOS和太阳能电池等以往半导体器件等方面。 目前,研究开发的重点虽然在于绝缘膜上的晶体生长技术,但也在进行试制简     

粒子沾污与器件性能

粒子沾污是通过对器件的物理、化学影响使器件失效的。物理方面,有对光掩模图形以及薄膜淀积的影响,这些报导是最常见的。然而,化学方面的影响却是难以控制的。直径为零点几微米的粒子能使栅氧化层形成缺陷,从而引起MOS器件的性能严重退化。本文阐述了一些主要的粒子沾污源和器件性能退化的详细机理,并讨论了粒子沾污对成品率和可靠性的影响。     

需求量骤增的门阵列及其特点

所谓门阵列是把计算机等领域所使用的逻辑电路中最简单的NAND(与非)门以及NOR(或非)门规则而整齐地排列在LSI芯片上构成(其命名由此而来)的,通过布线即可把NAND、NOR这些基本单元连成各种不同的LSI电路。 门阵列是一种采用母片方式的半定制LSI。所谓半定制方式指的是,制造过程基本上保持不变,只需要改变最后的一、二步工序即可形成不同的电路品种的制作方式。与此相反,全定制方式指的是制造