用激光测量PECVD膜层应力

一、前言红外探测器采用等离子体增强化学汽相淀积(简称(PECVD)法制造钝化膜。在沉积过程中,由于淀积膜组分的差异、热应力的影响、膜层同基体的匹配差别,以及膨胀系数的不同等因素,会给膜层引入一定的应力。这种应力在某种程度上会引起位错的增生或运动,致使膜层产生形变,严重时甚至会导致膜层开裂。近年来,国内外文献中有关膜层应力测定的报告大致有四种主要方法:文献[1]的作者报告了以激光为光源的光学测量方法;文献[2]的作者提出了X光双晶衍射法;文献[3]的作者采用了扫描电镜观察的弯曲梁法;文献[4]的作者则在应用X光形貌相法。方法虽然各异,但     

钝化膜的物理和化学测试技术简述

本文综述了电子能谱法、二次离子质谱法、核实验技术、光谱法及分光光度法分析膜层的组分化学式量比及杂质的分布,以及膜层的厚度、折射率、密度、应力、针孔、腐蚀,速率、台阶覆盖的物理测试方法;简要叙述部分测试方法的基本原理,着重介绍实用技术。     

锑化铟红外探测器用PECVD二氧化硅钝化膜的研究

本文是在正交实验方法的基础上,比较系统地研究了等离子体增强化学气相淀积(PECVD)的工艺参量(射频功率、反应气体的压强、淀积温度、淀积时间)的变化,对SiO_2膜层的物理及化学性能的影响。本文又研究了在阳极氧化钝化膜上再生长PECVD SiO_2膜的电性能及其在多元锑化铟探测器上的实验结果。     

Nd:Cr:YAG晶体中铬分凝系数的测定

Nd:YAG激光晶体中加入了微量的Cr~(3+)离子以后,在0.4～0.6微米波长范围内,明显地增加了两个宽而强的吸收带。因此,铬离子可以作为一种杂质敏化剂,以共振传递的形式传递能量,能比较有效地利用光泵的辐射,从而对Nd~(3+)激活离子吸收0.6微米以下的光能量可能给予有益的贡献。这样的双掺晶体用于连续激光器,具有阈值低、效率高的效果。但是这种激光特性与晶体生长的质量有密切的关系。据说影响氧化物晶体质量的主要来     

锑化铟红外探测器二氧化硅钝化膜中氢含量的分析

用氦离子前角反冲技术研究了等离子体增强化学气相淀积工艺制备的红外探测器二氧化硅钝化膜膜层内的氢含量、浓度以及氢分布的深度。结果表明,所测量的氢分布深度与椭偏法所测得膜厚结果是一致的,膜层中氢的含量随淀积时间的增加是非线性的、氢含量与浓度随淀积温度和射频功率密度的增加而减少。实验也表明了膜层的腐蚀速率与氢含量的关系。     

等离子增强化学气相淀积钝化膜在红外探测器中的应用

以化学气相淀积工艺制备二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜,已成功地用作半导体器件的钝化膜。用低温(L_T)CVD制备SiO_2/InSbMOS器件及红外敏感元件的工艺研究也有不少的报导。但是Vasque以XPS法研究220℃温度下形成的SiO_2/InSb的界面时,发现在淀积过程中,可能由于硅烷氧化不完全,在二氧化硅-自然氧化物的界面形成元素铟,在自然氧化物-锑化铟界面形成元素锑,从而产生了分布不均匀的高浓度的界面态。七十年代中期,随着大型等离子增强化学气相淀积(PECVD)反应器的研制成功,大量的文章介绍了以低温PECVD技术制备半导体器件的钝化膜的基础研究及应用研究。Ta-keo Yoshimi及Pan认为PECVD二氧化硅膜的台阶覆盖比L_TCVD工艺好。Schimi-     

等离子体增强化学气相淀积SiO_2/InSb钝化膜的研究

本文叙述了应用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术,对InSb光伏器件的表面进行钝化。实验中采用正交实验的方法,选择了射频功率、反应气体的流量比、衬底温度等三种工艺因素,及其三个位级的变化所引起的对锑化铟器件上淀积的二氧化硅钝化膜的物理、化