“奥运生活”更加精彩——用高清DV记录我的奥运

奥运是一场盛会,在北京2008奥运期间,全世界的目光都将集中到北京这个具有悠久文化历史的古都,如何将这具有历史意义的时刻记录下来,这就是我们要跟大家说的事情。而奥运的精彩不仅仅是因为奥运比赛,还包括了比赛之外的种种精彩时刻。这里我们不仅将告诉你如何用手中的高清DV拍摄奥运,同时也还会给大家介绍奥运主要比赛场馆周边的餐馆和酒吧等娱乐场所,让你的“奥运生活”更加丰富多彩。     

PR-CS/γ-PGA纳米胶囊的制备和表征

以壳聚糖（CS）和聚谷氨酸（γ-PGA）为壁材,采用离子凝胶法制备包覆苯乙基间苯二酚（PR）壳聚糖/聚谷氨酸（PR-CS/γ-PGA）纳米胶囊,提高PR的稳定性。研究了γ-PGA质量浓度、CS溶液pH以及PR质量浓度对包覆PR-CS/γ-PGA纳米胶囊粒径大小、Zeta电位和包覆率的影响。研究结果表明,体系中CS质量浓度为1.33 mg/mL时,制备PR-CS/γ-PGA的最佳条件：CS溶液pH为4.5,γ-PGA质量浓度为0.27 mg/mL,PR质量浓度为0.4 mg/mL,反应时磁力搅拌速度为400 r/min,γ-PGA滴加速度为0.5 mL/min,反应时间为1 h。通过对PR-CS/γ-PGA纳米胶囊进行系统表征：TEM扫描表明,PR-CS/γ-PGA纳米胶囊呈球形。FT-IR分析表明,CS与γ-PGA之间发生静电相互作用形成CS/γ-PGA纳米胶囊,且PR-CS/γ-PGA纳米胶囊中含有PR。TGA曲线表明,CS/γ-PGA纳米胶囊可以提高PR的热稳定性,PR-CS/γ-PGA纳米胶囊成功包覆了PR。     

菱镁矿尾渣煅烧MgO膨胀剂在一维限制砂浆中的膨胀性能

为探讨菱镁矿尾渣在制备MgO膨胀剂(MEA)应用上的可能性,研究了辽宁海城菱镁矿尾渣煅烧MEA的活性及其在不同温度水养护砂浆试件中的一维限制膨胀率.结果表明,利用废弃菱镁矿尾渣经高温煅烧可制备出不同活性的混凝土用MEA,且煅烧温度越高,活性越低;不同养护温度下MEA表现出不同的膨胀性能,掺低活性MEA的砂浆试件的膨胀受养护温度的影响更为显著;相较于菱镁矿煅烧得到的MEA,由菱镁矿尾渣煅烧的MEA中有效方镁石成分较低,同掺量情况下膨胀性能较差,实际应用中可通过适当提高MEA掺量以保证对混凝土收缩的有效补偿.     

基于HBT工艺的高功率低相位噪声QVCO

基于Sanan 2 μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)。该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使压控振荡器基波正交。该QVCO比传统串并联晶体管耦合电路具有更高的输出功率和更低的相位噪声。仿真结果表明,该QVCO的调谐范围为12.98~14.05 GHz。振荡频率为13.51 GHz时,输出信号功率为12.557 dBm。相位噪声为-117.795 dBc/Hz @1 MHz。     

一种SiGe BiCMOS 140 GHz高增益功率放大器

基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种中心频率为140 GHz 的三级Cascode结构的功率放大器。该放大器由两个驱动级和一个输出功率级组成,输入、输出和级间匹配均采用微带线实现。设计中,选用最佳尺寸的晶体管,通过分析得到最佳偏置电流和最佳偏置电压,从而获得最大的电压摆幅,以提高输出功率。仿真结果表明,在120~160 GHz的工作频带中,该放大器的最高增益为28 dB,饱和输出功率为16.2 dBm, 功率附加效率为20%,功耗为220 mW。     

一种SiGe D波段高增益低噪声放大器

基于IHP 0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器。该放大器由两级Cascode 结构和一级共发射极结构组成。利用发射极退化电感来同时实现噪声抑制和功率匹配,利用微带线进行输入输出匹配和级间匹配,采用增益提升技术来提高前两级Cascode结构的增益。仿真结果表明,该放大器在中心频率140 GHz处实现了32 dB的增益,在125~148 GHz范围内均达到30 dB以上的增益,在相同频率范围内实现了小于6 dB的噪声系数,直流功耗仅为26 mW,芯片尺寸为610 μm×340 μm。该放大器具有低噪声和高增益的特点。     

一种2 μm GaAs HBT低相噪宽带VCO

提出了一种2 μm GaAs HBT工艺的低相噪宽带压控振荡器(VCO)。与CMOS工艺相比,采用HBT工艺设计的VCO噪声性能更好,具有较大的电流放大倍数和跨导。该VCO采用差分 Colpitts 结构,并对无源器件进行结构优化,在4.1 GHz处,片上螺旋电感的品质因数超过21,实现了较低的相位噪声。通过二极管组成变容阵列,实现了较宽的调谐范围。流片测试结果表明,VCO 调谐范围为3.370~4.147 GHz,最大输出功率为－16.13 dBm,直流功耗为43 mW。在振荡频率为 4.1 GHz 时,相位噪声为－125.2 dBc/Hz@1 MHz。该VCO在相对较宽的调谐范围内实现了较低的相位噪声。