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分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET Vth均匀性研究宜采用平面工艺 相似文献
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本文在PSPICE电路模拟的基础上设计了一套GaAs IC对阈值电压均匀性要求的计算方法,并计算三种不同GaAs IC对阈值对电压均匀性的要求,结果表明,SDFL对阈值电压均匀性的要求较低,σVth为218mV,DCFL和BDCFL对阈值电压均匀性要求较高,σVth分别为38mV和35mV。模拟计算还提出;优化和未优化的电路对阈值电压均匀性的要求不同;工艺不同,电路对阈值电压均匀性的要求也不同。这 相似文献
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