不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究

分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET Vth均匀性研究宜采用平面工艺     

GaAsIC阈值电压均匀性的计算机模拟分析

本文在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟的基础上设计了一套ＧａＡｓ ＩＣ对阈值电压均匀性要求的计算方法,并计算三种不同ＧａＡｓ ＩＣ对阈值对电压均匀性的要求,结果表明,ＳＤＦＬ对阈值电压均匀性的要求较低,σＶｔｈ为２１８ｍＶ,ＤＣＦＬ和ＢＤＣＦＬ对阈值电压均匀性要求较高,σＶｔｈ分别为３８ｍＶ和３５ｍＶ。模拟计算还提出;优化和未优化的电路对阈值电压均匀性的要求不同;工艺不同,电路对阈值电压均匀性的要求也不同。这     

GaAs IC阈值电压均匀性的计算机模拟分析

本文在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟的基础上设计了一套ＧａＡｓ ＩＣ对阈值电压均匀性要求的计算方法,并计算三种不同ＧａＡｓ ＩＣ对阈值对电压均匀性的要求,结果表明,ＳＤＦＬ对阈值电压均匀性的要求较低,σＶｔｈ为２１８ｍＶ,ＤＣＦＬ和ＢＤＣＦＬ对阈值电压均匀性要求较高,σＶｔｈ分别为３８ｍＶ和３５ｍＶ。模拟计算还提出;优化和未优化的电路对阈值电压均匀性的要求不同;工艺不同,电路对阈值电压均匀性的要求也不同。这     

背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响

研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明,背栅效应使ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小,均匀性变差．