含缺陷一维光子晶体电场分布研究

文章给出了任意入射角时光在一维光子晶体中的透射率及电场分布的解析式,研究了不同的入射角、入射光角频率、缺陷层折射率及光子晶体周期数对含缺陷的一维光子晶体场强分布的影响,同时研究了缺陷层的吸收系数对光子晶体透射率及场强分布的影响,所得到的一些结论为光子晶体的制备及应用提供新的有价值的理论依据。     

一维光子晶体中光场局域态特性的研究

给出了任意入射角的一维光子晶体透射率及场强分布解析式,分别研究了缺陷层的吸收系数对光子晶体透射率、场强分布的影响,同时研究了不同的入射角、缺陷层折射率、光子晶体周期数及光子晶体结构形式对场强分布的影响。得到了一些新的有价值的结论,为光子晶体的制备及应用提供了理论依据。