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吴应前 《固体电子学研究与进展》1991,11(4):353-356
本文在Warner-Grung的高低结理论基础上修正了势垒高度和结中最大电场,获得计算高低结比电阻的一个修正公式.修正的幅度在一个数量级左右. 相似文献
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吴应前 《固体电子学研究与进展》1991,11(1):44-48
本文根据Kane的直接隧穿理论,结合欧姆接触的特点,导出了p~+-n~+隧道结比接触电阻的计算公式.此式适用于直接能隙半导体,也适用于Si.在N_D+5×10~(20)cm~(-3)的磷浓度下,对一系列N_A值,按此式计算了Al/n~+-Si的比接触电阻R_(co)结果与Finetti等的测量值在数量级上完全一致.证明AL/n~+-Si的R_c基本上由其中的p~+-n~+结决定,因而与合金工艺有密切关系. 相似文献
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