晶闸管挖槽法制造工艺

介绍一种挖槽法制造晶闸管新工艺,它具有简化制作工序、提高器件芯片成品率的特点,适合批量生产.     

静电屏蔽晶体管GAT的特点与制造

介绍静电屏蔽晶体管的结构，器件性能及制造工艺。利用ＧＡＴ的基区静电屏蔽效应改善了晶体管的工作可靠性。研制成的ＧＡＴ器件呈现出高耐压，快速开关和低饱和压降等优良特点。     

腐蚀挖槽和P,N型杂质一步掺杂制造晶闸管

本文介绍了腐蚀挖槽和硅中P、N型杂质一步扩散掺杂的晶闸管制造工艺,应用该技术提高了产品的性能/价格比。