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本文在微晶硅材料性能研究的基础上制备了微晶硅薄膜晶体管(TFT).发现微晶硅的柱状生长模式会导致其结构和电学性能的不均匀性.由于材料的柱状生长模式使得其晶化百分比、晶粒尺寸和暗电导受到薄膜厚度的调制.平行于衬底和垂直于衬底方向的电导率随着材料沉积条件的变化呈现出不同的变化规律,后者始终保持在 10-6 s/an~10-5 s/cm 量级.确定了用于 TFT 有源层的微晶硅薄膜沉积条件中的硅烷浓度应高于 2%,晶化百分比应为40%~50%左右.制备的微晶硅 TFT 器件具有良好的稳定性,开态电流的衰退和阈值电压的漂移分别为 25%和1 Ⅴ,进而还发现了一种新颖的自恢复现象. 相似文献
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提出一种以聚合物MEH PPV为发光材料,结构为Al/MEH PPV/CuPC/ITO的倒置型发光器件(I PLED)。对既是空穴传输层又是轰击缓冲层的CuPC厚度以及MEH PPV的浓度对器件性能影响的分析发现,在实验条件下,最佳的CuPC厚度约为3.5nm,最佳的MEH PPV浓度约为3‰;采用小分子染料红莫稀(Rubrene)对聚合物发光材料MEH PPV掺杂发现,器件的亮度从未掺杂的40 4cd·m2提高到掺杂后的207.7cd/m2,其发光峰从未掺杂的624nm蓝移到掺杂后的592nm,但其I V特性并没有明显的变化。 相似文献
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对采用金属诱导单一方向横向晶化(metal induced unilaterally crystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础. 相似文献
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用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a-SiGe:H样品进行退火,只要激光退火能量密度合适,Ge含量不同的a-SiGe:H薄膜都可以被多晶化;随着Ge含量的增加,激光晶化阈值能量密度降低,耐退火民降低;在相同的激光晶化能量密度下,Ge的含量越高的薄膜,激光晶化的效果越好,晶粒尺寸长得越大。 相似文献
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Based on the technology of low temperature poly silicon thin film transistors (poly-Si-TFTs), a novel p-type TFT AMOLED panel with self-scanned driving circuit is introduced in this paper. A shift register formed with novel p-type TFTs is pro- posed to realize the gate driver. A flip-latch cooperated with the shift register is designed to conduct the data writing. In order to verify the validity of the proposed design, the circuits are simulated with SILVACO TCAD tools, using the MODEL in which the paramete... 相似文献
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