硅高压整流器件的中子辐照效应研究

本文概述了硅高压整流器件在中子辐照下的损伤机理。通过对器件的物理分析,指出器件在中子辐照下失效的主要原因是少子寿命的降低而导致W/2L的增大,从而使体电阻R_n增大。文章给出了提高器件抗中子辐照性能的设计思想及两种有效的手段,即提高器件的掺杂浓度和降低器件的高阻区宽度。文中还对比了几个加固与未加固器件的中子辐照结果。