GaN-LED倒装芯片的金属保护层设计与研究

金属Ag的反射率和迁移对GaN-LED倒装芯片的性能有重要的影响,为了提升芯片制程中的漏电良率,优化芯片结构中容易发生金属Ag迁移的结构,该研究设计了不同金属保护层结构,通过对比结构形貌、芯片漏电良率、芯片亮度和封装亮度,发现双层夹层的金属保护层结构更稳定,致密性更佳,可以有效阻挡金属Ag的迁移,减少PN结的导电通道,降低漏电的风险。将不同金属保护层结构分别应用到3 000μm×3 000μm的GaN发光二极管倒装工艺中,双层夹层的金属保护层漏电良率提升2.6%,同时因形成了全方向反射镜,增加了光萃取率,亮度提升4.5%,器件的过载能力比较强。     

下篇 众说纷纭话毕设

毕设是每个大学毕业生都必须经历的一个阶段，我们在2004年暑期采访了一些计算机系毕业班学生，搜集并整理了一些资料，我们隐去了其中所涉及到的真实校名及人名，仅对文字略加润色，并对一些个案加了简评。     

基于光传送技术的主干网协议体系结构演进方案

当今Ｉｎｔｅｒｎｅｔ由远端接人服务器工作组（ＲＡＳ）、公共／专用对等路由、企业网以及使上述各部分实现互连的高速ＩＰ主干网组成。主干网的标准连接技术采用ＡＴＭ ｏｖｅｒ ＳＯＮＥＴ,其中ＡＴＭ提供虚拟链路带宽管理,ＳＯＮＥＴ提供高速传输和保护交换。 为了满足越来越大的容量要求,绝大多数主干网路由器生产商都推出了链路容量能达到Ｇｂ／ｓ级的网络设备。 图１描述了当今吉比特主干网中使用的协议及其相互之间的关系。如何选择这些协议,则主要取决于对网络的具体要求。下面分别对这些协议体系的一特点进行分析和研究。 现…