注S-SI GaAs晶体中的缺陷

对注S-SI GaAs单晶作光致发光测试,确定了两个缺陷能级.1.239eV峰可能是镓空位(V_(Ga))与S的络合物;1.408eV峰是由注S引起SI-GaAs衬底中残留杂质Si发生迁移,增加了Si受主(Si_(As))密度,部份Si_(As)与砷空位(V_(As))相互作用形成V_(As)-Si_(As)络合物而产生的.     

掺Ge的p型Ga(1-x)Al_xAs缺陷能级

本文中,我们对液相外延生长的掺Ge-p型Ga_(1-x)Al_xAs(x<0.4)作了77K的光致发光测定。确定了与Ge有关的三个光谱峰,其能量分别是E_G=1.17x+1.48eV,1.46-1.47eV和～1.53eV。E_G是Ge受主能级;1.46-1.47eV是Ge与砷空位(V_(As))的络合物;～1.53eV是否Ge与铝空位(V_(Al))或镓空位(V_(Ga))形成络合物产生的受主能级有待继续研究。