衬底错向对LPE-GaAs表面形貌的影响

本文研究了与(100)晶面错向的衬底上砷化镓液相外延层的表面形貌.随着外延层厚度的增加,先后观察到了鳞片状结构、水波纹结构和平行阶梯结构.本文对这形貌变化的机构作了讨论.我们还看到当外延层厚度是 2.1—2.2μm时,只有错向<4＇表面才光亮平整.当外延层厚到2.5-3μm时,错向<5＇即可获得光亮的表面.     

Sl-GaAs单晶的热稳定性研究

SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究了热稳定性差的不掺杂LEC SI-GaAs单晶.结果表明,原子吸收光谱分析发现此晶体存在6.7×10~(15)cm~(-3)Fe杂质,其他两种方法观察到一个～0.62eV深能级.文中推测这是与杂质Fe有关的深受主,认为它对不掺杂LBC SI-GaAs单晶的热稳定性可能有重大影响.     

砷化镓晶片表面损伤层分析

采用ＴＥＭ观测与Ｘ射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了ＳＩ－ＧａＡｓ晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了ＴＥＭ观测到的只是晶片损伤层厚度，而Ｘ射线双晶回摆回线检测化学腐蚀逐层剥离所得的深度是晶片损伤及其形成应力区的最度的结论。     

X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度

本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定量检测ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论．     

LPE-GaAs表面形成弯月线原因的探讨

本义介绍了在LPE-GaAs表面出现的弯月线受片子脱离生长液的速度、方向、温度、气氛中的砷分压以及衬底和液槽框底之间的间隙的影响.根据这些现象,提出了形成弯月线的原因——“半周线瞬时局部回溶”的设想.用它能解释有关的实验现象.     

LPE-GaAs中0.72eV电子陷阱与生长条件的关系

本文采用DLTS方法,研究LPE-GaAs层中深电子陷阱(Es-0.72eV)的成因.通过改变外延生长条件,发现该电子陷阱的浓度明显受生长温度、降温速率及掺杂情况的影响.该陷阱中心可能是一个点缺陷和氧、碳杂质形成的络合物.     

LPE-GaAs中残留杂质的研究

<正> 众所周知,在氢气氛中进行LPE-GaAs生长时,对镓溶液作长时间的热处理,以便排除氧沾污是提高外延层纯度的重要工艺措施.但是我们发现,随着镓溶液处理温度的提高,外延层的电子浓度会逐渐下降,然后转为Ⅰ型材料(见图1),存在着一个型号转变