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1.
混合电压I/O接口的静电放电(electrostaticdischarge,ESD)保护设计是小线宽工艺中片上系统(SoC)设计的主要挑战之一。混合电压I/O接口的片上ESD保护既要避免栅氧可靠性问题,又要防止不期望的泄漏电流路径产生。这篇论文讨论了基于堆叠NMOS(Stacked—NMOS,STNMOS)的混合电压I/O接口的ESD保护设计构思和电路实现,通过不同ESD保护设计方案的比较,提出了一个最有效的保护方案。  相似文献   
2.
吴道训  蒋苓利  樊航  方健  张波 《半导体学报》2013,34(2):024004-5
Contrary to general understanding,a test result shows that devices with a shorter channel length have a degraded ESD performance in the advanced silicided CMOS process.Such a phenomenon in a gate-grounded NMOSFET(GGNMOS) was investigated,and the current spreading effect was verified as the predominant factor. Due to transmission line pulse(TLP) measurements and Sentaurus technology computer aided design(TCAD) 2-D numerical simulations,parameters such as current gain,on-resistance and power density were discussed in detail.  相似文献   
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