φ75mmSI-GaAs单晶的研制

近年来，由于砷化镓集成电路（GaAsIC）的高速发展，对高质量的SI－GaAs单晶的要求越来越高，现已成为GaAsIC制造技术的关键之一。电子部南京电子器件研究所依靠自己的力量，在过去成功经验的基础上，自筹资金自行设计制造了JW0018型新一代高压单晶炉，在国内首先使用了三温区石墨加热系统进行了75mmGaAs晶体生长，首次投新料就获得了较为满意的结果。具体参数指标如下：电子迁移率：5.47×103cm2／V·s电阻率：23×107/Ω·cm位错密度EPD：8．8XIO4cm－’迁移率径向均匀性凸p／P：53见电阻率径向均匀性凸人P：146拓从得到的结果…     

一种LEC-GaAs单晶位锗密度检测和参考面制定的方法

本文从分析LEC-GaAs单晶中wug位错的分布规律出发,结合实验观察,提出了LEC-GaAs单晶{111}和{100}面位错密度检测方法,包括样品制备,位错显示剂和显示条件、测量条件以及取点部位等。 考虑到GaAs单晶的极性对器件工艺的影响,本文提出了一种由位错蚀坑的形状确定极性,在单晶锭上作两个参考面的方法,以保证衬片方位的一致性。     

退火对LEC SI GaAs单晶性能的影响

本文报道了退火对非掺LEC SI GaAs晶片的电学性能和均匀性的影响。在850℃以上退火,晶片横截面上的平均迁移率由原生晶体的2.64×10~3cm~2/V·s提高到5.72×10`3cm~2/V·s,其中某些测量点达6.68×10~3cm~2/V·s,横向不均匀性由32％减少到6％,电阻率不均匀性由30％减少到10％。观察到晶片退火时间过长,性能反而下降。 基于上述实验结果,对退火改善晶体性能的机理进行了分析和讨论。