液相外延空白区现象的观察

在某些衬底上生长薄外延层时发现有局部未长外延层的区域——“外延空白区”,它会影响外延层的均匀性.由于这类空白区中心附近总有凹的破损区域或有异样结构,这必然会产生应力,可推断“外延空白区”与晶格缺陷产生的应力有关.用故意在衬底表面的局部区域产生划痕,或进行离子注入,或产生离解等办法造成晶格缺陷,产生应力,同样得到了“外延空白区”,证明了我们推断的正确.由此提示我们为得到高质量的薄外延层需要注意选择无局部应力集中区域的衬底。     

Preparation of Ampoules With B_2O_3 Coating on GaAs Surface for Space Experiments

In order to reduce Marangoni convection in molten GaAs,B,O,encapsulation was used during float zone growth of GaAs single crystals.After growth of the GaAs crystal,theam poule would be broken during cooling due to the large difference in thermal expansion coefficients of...     

太空熔体生长砷化镓单晶

本文介绍利用一种将单晶锭条两端固定,中间可以重熔以建立悬浮熔区的反应容器,在回地卫星的微重力环境下用45分钟从熔区两端相向生长出中部直径为1cm,长度分别为10mm和7mm的两块火炬头状砷化镓单晶.对地面生长和空间生长7mm长单晶用KOH溶液为电解液的阳极腐蚀法显示,结果表明:在地面生长的籽晶部位观察到了由重力驱动对流引起温度涨落而造成的密排杂质条纹,在与籽晶相邻接的空间生长单晶部位未观察到这种类型的杂质条纹.同时观察到太空生长单晶边缘附近存在杂质条纹以及在太空单晶末端附近边缘出现胞状结构,它们可能是因降温速率快过冷所致.经熔融KOH腐蚀显示,在地面单晶和10mm长空间单晶交界面出现密排位错,靠近交界面的太空生长单晶位错密度较低,随着晶体生长位错密度逐渐增高,太空生长单晶边缘附近位错密度高于中心区域.     

衬底错向对LPE-GaAs表面形貌的影响

本文研究了与(100)晶面错向的衬底上砷化镓液相外延层的表面形貌.随着外延层厚度的增加,先后观察到了鳞片状结构、水波纹结构和平行阶梯结构.本文对这形貌变化的机构作了讨论.我们还看到当外延层厚度是 2.1—2.2μm时,只有错向<4＇表面才光亮平整.当外延层厚到2.5-3μm时,错向<5＇即可获得光亮的表面.     

中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑

本文展示了我国首根太空砷化镓单晶所具有的火炬头状单晶并有８个小平面的表面形貌．在石英容器设计中考虑了既能经受大的加速度又可避免容器和砷化镓锭条因热膨胀系数不同可能引起的损坏,还介绍了熔区建立后防止熔体和容器内壁接触的办法．考虑到供电仅限于９０ｍｉｎ,所设计的温控曲线非常好,使空间生长ＧａＡｓ单晶获得成功．     

空间生长的GaAs单晶的结构特性观察

为了提高砷化镓单晶的完整性和均匀性,中科院半导体研究所和航天部501所合作,在太空中完成了从熔体生长砷化镓单晶的实验。用电解腐蚀,透射电子显微镜(TEM)和阴极莹光(CL)对地面籽晶部分和空间重熔晶体部分的结构性质进行了比较性现察,实验结果如下:1)用KOH溶液电解腐蚀完成了对该晶体的杂质条纹显示,结果表明:地面生长的单晶有明显的杂质条纹,空间生长的晶体中无杂质条纹(图1)。2)在地面籽晶和空间生长晶体的界面处存在一个晶体完整性较高的区域。CL形貌相上显示出亮带(图2)。TEM观察发现界面区的微缺陷浓度远低于基体,存在一个宽度至少为5μm的“清洁区”,在     

InGaAsSb四元固溶体的团簇效应

在Ｏｎａｂｅ工作的基础上，使用对相互作用模型对于Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ１－ｙＳｂｙ四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值（ｘ，ｙ）进行了计算．结果表明团簇效应在该系统中严重存在．计算了对分布几率随组分值和温度的变化．对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论．     

LPE-GaAs表面形成弯月线原因的探讨

本义介绍了在LPE-GaAs表面出现的弯月线受片子脱离生长液的速度、方向、温度、气氛中的砷分压以及衬底和液槽框底之间的间隙的影响.根据这些现象,提出了形成弯月线的原因——“半周线瞬时局部回溶”的设想.用它能解释有关的实验现象.     

LPE-GaAs中残留杂质的研究

<正> 众所周知,在氢气氛中进行LPE-GaAs生长时,对镓溶液作长时间的热处理,以便排除氧沾污是提高外延层纯度的重要工艺措施.但是我们发现,随着镓溶液处理温度的提高,外延层的电子浓度会逐渐下降,然后转为Ⅰ型材料(见图1),存在着一个型号转变