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重点分析了重要体育场馆雷电防护的必要性。以雷电防护理论为依据,对第十一届全运会比赛场馆——德州市体育馆的防雷设计进行了完善,全面系统地介绍了该体育馆的防雷设计方案。通过该方案的实施,对比赛的顺利进行提供了一定的保障,同时对其他该类场馆的防雷设计起到一定的借鉴作用。 相似文献
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表面贴装LED光电参数测试分选系统的研制 总被引：1，自引：0，他引：1
通过测量LED的相对光谱功率分布,计算出被测LED的色度坐标、纯度、峰值波长以及主波长等参数.测试装置提供与分选装置的通信接口,通过它们之间的通信实现在线测试,并可根据测试的结果和设定值对被测LED进行自动判断分选.实际应用表明:该系统测试速度快,单颗测试时间为100 ms;测试精度高,其中发光强度测量误差小于10%,峰值波长的误差在±1 nm内;主波长为620～760 nm的LED其主波长测量参数误差不大于1 nm,主波长为380～620 nm的LED其主波长测量参数误差不大于0.5 nm,白光的色度坐标误差不大于0.01.系统兼容性好,更换少量配件就可生产不同规格的表面贴装LED. 相似文献
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介绍了屋顶太阳能热水器应该采取的防雷措施,对太阳能热水器与建筑一体化设计安装几种常见形式的防雷安全性能进行了分析比较,并分别提出了需采取的防雷措施。 相似文献
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针对国家标准、规范未对各种基础类型、基础接地体利用的钢筋作具体规定,以及建设工程中利用建筑物基础内钢筋做接地体进行设计等常见问题,按照国家有关规范、图集对基础接地体设计的有关要求、做法,对桩基础、独立基础、板式或箱形基础等常用基础类型、接地体防雷设计作了具体归纳总结,以期为设计人员提供参考。 相似文献
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LED电极结构极大地影响着LED芯片的电流扩展能力,优化电极结构,能够缓解电流拥挤现象.讨论了正装LED结构和倒装LED结构的电流分布模型,并通过SimuLED软件研究了电极结构对LED电流扩展能力的影响.仿真结果表明:采用插指型电板结构极大提高了正装LED的电流扩展能力,电极下方插入电流阻挡层(CBL)后改变了芯片的电流分布状况,有利于光效的提升;而倒装LED的通孔式双层金属电极结构利用两层金属的互联作用,使n电极能够在整个芯片范围内均匀分布,进一步提高了电流扩展性能. 相似文献
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针对高压针形阀取样经常出现打不开或打开关不死以及使用寿命短的问题,研制了油田高压注水系统安全取样器。该取样器与原高压针形阀相比,增加了减压缓冲机构,提高了取样安全性,减轻了现场取样劳动强度和维护工作量。现场试验及应用表明,使用该取样器,实际取得水样162点次,平均每次取样时间为10 min,每次取样时间比原来缩短了20 min。 相似文献
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基于4H-SiC材料的微机电系统(MEMS)器件(如压力传感器、微波功率半导体器件等)在制造过程中,需要利用干法刻蚀技术对4H-SiC材料进行微加工.增加刻蚀速率可以提高加工效率,但是调节刻蚀工艺参数在改变4H-SiC材料刻蚀速率的同时,也会对刻蚀表面粗糙度产生影响,进而影响器件的性能.为了提高SiC材料的刻蚀速率并降低刻蚀表面粗糙度,满足4H-SiC MEMS器件研制的需求,本文通过优化光刻工艺参数(曝光模式、曝光时间、显影时间)获得了良好的光刻图形形貌,改善了刻蚀掩模的剥离效果.实验中采用SF6和O2作为刻蚀气体,镍作为刻蚀掩模,分析了4H-SiC反应离子刻蚀工艺参数(刻蚀气体含量、腔体压强、射频功率)对4H-SiC刻蚀速率和表面粗糙度的影响.实验结果表明,通过优化干法刻蚀工艺参数可以获得原子级平整的刻蚀表面.当SF6的流量为330 mL/min,O2流量为30 mL/min,腔体压强为4 Pa,射频功率为300 W时,4H-SiC材料的刻蚀速率可达到292.3 nm/min,表面均方根粗糙度为0.56 nm.采用优化的刻蚀工艺参数可以实现4H-SiC材料的高速率、高表面质量加工. 相似文献
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据《2006—2010年山东省雷电灾害汇编》不完全统计,2006-2010年山东省共发生雷电灾害2738起,造成人身伤亡102起,致102人死亡,35人受伤,其造成经济损失数亿元,造成大量建筑物以及电力、电子设施、设备受损,涉及电力、石化、通信、交通等多个领域。雷击事故频发,究其根本原因有三：一是受自然因素的影响,二是防雷措施不到位,三是防雷意识薄弱。 相似文献
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