分子束外延技术及我们的初步实验

分子束外延(MBE)是六十年代末提出,自七十年代中期以来,随着微波器件、光电器件和光通讯的发展,特别是集成光路的提出而发展起来的一种新的晶体生长技术。近几年来,MBE技术在基础理论和应用方面的研究都得到稳步发展。由于MBE在微波和光电器件领域的成功应用,以及利用MBE研制成功量子阱激光器和在同一衬底上单片集成光电子器件的研究取得成功,其发展就突飞猛进了。现在MBE已引起各国重视,尤其是在美国、日本、英国和法国研究都很活跃。目前我国已有几家开展了MBE     

单片式3.6μs pn结二极管存储相关器/卷积器

本文报道一种单片式金属氧化锌、二氧化硅(MZOS)结构存储相关器。在我国首次实现将参考信号“写入”(存储)二极管阵列中,然后用读信号将其“读出”,该器件也可用作卷积器。本文简叙了器件设计、结构、制作方法、工作模式和性能参数。     

单片式Zno／Si Pn结二极管存储相关器／卷积器

本文报道在我国首次制成一种单片式金属-ZnO-SiO_2-Si(MZOS)结构存储相关器/卷积器。它既可用作卷积器,也可用作存储相关器。阐明了pn结二极管存储机理,叙述了该器件的基本设计,制作方法和性能参数。器件的中心频率为77MHz,带宽为7MHz,互作用时间是5.2μs,卷积效率达-63dBm。把该器件用于扩频通信的解扩实验,证明抗干扰能力强。最后提出了改进性能的方法和措施。     

声表面波MZOS存储相关器／卷积器

本文报道中心频率为80MHz,带宽为7MHz,卷积效率达-57dBm的MZOS存储相关器;并分析、测量了该器件的结构和界面态密度,就界面态密度对存贮效应的影响作出讨论。文中还给出提高器件性能的几个方法。     

分子束外延

二、引言在现代的科学技术中,随着微波器件、光电器件和光通讯的发展,特别是集成光学的提出,近几年新发展起来一种新的晶体生长技术一分子束外延(MBE)。分子束外延与气相外延(VPE)和液相外延(LPE)不同。它是在超高真空下(10~(10)乇)进行生长,加之装有一些控制设备和分析仪器,可以精确地控制结晶生长,同时还可以进行现场观察和研究结晶生长过程,又能精确地控制生长薄膜的均匀性和厚度,并能进行多种掺杂。用MBE能生长数埃至几个微米厚的高质量单晶薄膜,而用VPE和LPE目前都难以达到。由于上述特点,MBE特别适用于微波器件、光电器件和集成光路的研制,它是一种较为复杂的综合性先进技术。MBE是在蒸发工艺基础上发展起来的。然而MBE作为晶体生长技术是1969年由贝尔实验室J.R.Arthur和A.Y.Cho等人提出的,当时MBE还不完善,但是它的发展速度是相当快的。特别是最近几年,在基础理论和应用方面的研究都很活跃,MBE日     

分子束外延生长GaAs单晶薄膜

本文报导首次用自制的分子束外延(MBE)炉生长GaAs单晶薄膜的初步工艺实验。用一个喷射炉装GaAs多晶作As源,另一个喷射炉装Ga作Ga源。把GaAs(100)衬底腐蚀、清洗后置于衬底台上,调节喷射炉的温度使分子束强度比(As_2)/()Ga为5～10左右,其衬底保持在适当温度时进行外延生长。从电子衍射的花样和外延层厚度等测试结果表明:使用MBE成功地生长出了GaAs单晶薄膜。     

Ponder策略语言基于事件描述的扩展

基本策略可以被划分为被动策略和主动策略两大类,而事件描述在主动策略的定义和实施中都起着非常关键性的作用.文章在介绍、分析了Ponder策略语言中的事件描述后,指出其存在不完备、缺乏时间描述等若干问题,并在解决上述问题的同时引入了分布式机制,提出了一个较为完备的事件描述解决方案.     

单片式ZnO／Si SAW卷积器／相关器初探

声表面波(SAW)卷积器/相关器是扩频通信讯系统的关键部件。它可用作改善扩频通信系统信噪比的匹配滤波器元件。SAW卷积器/相关器还可用来消除雷达系统中的固有畸变和缩短处理时间,并能使其系统大大简化。本文叙述了制作在n型Si半导体基片上的单片式ZnO/SiSAW卷积器/相关器的设计、原理、结构、制作及其初步测试结果,并进行初略的讨论和提出改进性能的措施。     

多媒体技术在广播电视工程中的合理应用分析

随着科技技术的不断发展,多媒体技术已普及到各行各业。在广播电视工程建设中,注重对多媒体技术的合理应用,能够促进电视内容与用户间的交流互动,对广播电视工程的发展有着重要的推动作用。为此,本文将对多媒体技术在广播电视工程中运用的重要性进行分析,探究当下广播电视中的多媒体技术及其应用。