托辊套筒旋压成型中旋轮的选材及制造工艺研究

在整体旋压式无心轴托辊的制造过程中,托辊套筒的旋压制造是一个关键工序,它是将薄壁空心套筒装在旋压机上,用旋轮强力旋压使工件产生局部变形而达到成型的目的.对旋轮进行合理的选材和制定合理的制造工艺不仅可以满足托辊套筒的旋压成型要求,而且可以延长旋轮的使用寿命,进而降低托辊的制造成本.分析了目前胶带输送机使用的有心轴托辊的缺陷以及旋压式无心轴托辊的结构特点和制造过程,对旋轮的选材和制造工艺进行了研究.     

一种用于大型套筒类零件加工的自定心专用夹具

套筒类零件一般由孔、外圆、端面和沟槽组成,其主要工作表面为内圆表面和外圆表面,形状精度和位置精度要求较高,表面粗糙度值较小,孔壁较薄且在加工过程中因受夹紧力、切削力、切削热等作用后易变形。因此,保证主要表面的相互位置精度和防止变形,是加工套筒类零件的关键。针对大直径的套筒类零件加工,设计制造了一种自定心专用夹具,解决了套筒类零件的装夹、定位问题,保证了零件的加工精度,提高了生产效率。     

托辊套筒旋压成型中旋轮的选材及制造工艺研究

在整体旋压式无心轴托辊的制造过程中,托辊套筒的旋压制造是一个关键工序,它是将薄壁空心套筒装在旋压机上,用旋轮强力旋压使工件产生局部变形而达到成型的目的对旋轮进行合理的选材和制定合理的制造工艺不仅可以满足托辊套筒的旋压成型要求,而且可以延长旋轮的使用寿命,进而降低托辊的制造成本．分析了目前胶带输送机使用的有心轴托辊的缺陷以及旋压式无心轴托辊的结构特点和制造过程,对旋轮的选材和制造工艺进行了研究.     

有机-无机杂化体异质结太阳电池研究现状

有机-无机杂化体异质结太阳电池以无机半导体纳米晶作为电子受体,共轭聚合物作为电子给体,是近年来的一个研究热点。在设计上,有机-无机杂化材料兼具有机材料的柔性、结构多样性、易加工和无机材料载流子迁移率高、稳定性好的优势,具有良好的发展前景。介绍了有机-无机杂化体异质结太阳电池的结构、工作原理,从共轭聚合物、无机半导体纳米材料以及电池制备工艺3个方面综述了近年来国内外研究现状,主要包括有机-无机杂化体异质结太阳电池中常用共轭聚合物结构、带隙,无机纳米晶种类、形貌、表面改性以及有源层厚度、形貌调控等内容。着重介绍了基于CdSe、TiO2、PbS类纳米晶的太阳电池。最后讨论了有机-无机杂化体异质结太阳电池目前存在的问题和发展方向。     

InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响

系统研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响;发现InAs量子点的基态发光峰位、半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In的组分;得到了室温发光波长在1.35μm,基态与第一激发态的能级间距高达103 meV的InAs量子点的发光特性。这一结果对实现高T_0的长波长InAs量子点激光器的室温激射具有重要意义。     

机械创新设计方案的优选建模方法探讨

研究了评价优选机械创新设计方案的建模方法与模型.以提高产品竞争力和效益为目标,以产品的全寿命周期为对象,提出了一组评价准则,并用数学方法对该准则进行了量化,建立了一种机械创新设计方案的评价优选方法及模型.     

一种新型弹性联轴器的刚度分析及设计计算

介绍了一种新型弹性联轴器的结构,并对联轴器的结构、刚度进行了分析,对联接设计、金属弹性元件的材料进行了计算分析.     

In离子掩模注入GaAs(001)衬底的均匀有序纳米团簇的形成和扩散

离子注入技术是一种重要的制备低维量子结构的方法,它能通过精确控制注入能量、剂量以及注入温度等形成有序纳米团簇.我们利用有序的阳极氧化铝模板作为掩模板在GaAs(001)衬底上进行In离子选择性注入以及快速热退火,获得了均匀有序的纳米团簇,采用原子力显微镜研究了量子点随温度变化的形貌变化特征,观察到注入吸附原子在衬底的扩散随温度变化而加快,退火温度达到680℃时,沿[110]方向的扩散要比[110]方向扩散快,而且呈现各向异性.     

有机/无机复合体异质结太阳电池

利用简单的低温工艺制备了纳米晶纤锌矿结构的ZnO,用高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)技术进行了表征.利用纳米晶ZnO和共轭聚合物2-甲氧基-5-(3,7.二甲基辛氧基)对苯撑乙烯(MDMO-PPV)制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/ZnO:MDMO-PPV/Al的有机/无机复合体异质结太阳电池,作为对比,同时制备了ITO/PEDOT:PSS/MDMO-PPV/Al结构的纯有机聚合物电池.实验结果表明,添加纳米晶ZnO使其能量转换效率提高了约550倍.PL谱测试结果表明这是由于有高电子亲合能的ZnO提高了电子空穴对分离的能力.另外,光伏性能的提高可能也与ZnO引起的电子传输能力的提高有关.此外,本文分析了ZnO:MDMOPPV体异质结电池性能低于传统电池的原因,并提出了进一步提高其性能的方法.     

周期换向脉冲电沉积-硒化法制备铜铟镓硒薄膜

采用周期换向脉冲电沉积法于Mo/玻璃及ITO/玻璃衬底上制备铜铟镓硒薄膜。Mo/玻璃或ITO/玻璃为工作电极,饱和甘汞(SCE)为参比电极,大面积铂片作为阳极构成三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,制备Cu-In-Ga-Se合金预制膜,随后在硒蒸气中进行硒化处理,得到了黄铜矿结构的CuInGaSe2(CIGS)薄膜.分别用SEM,XRD和UV-吸收分析了合金预制膜和CuInGaSe2薄膜的表面形貌、相组成及紫外-可见吸收特性。结果表明,周期换向脉冲电沉积法可以制备表面平整、均匀致密的Cu-In-Ga-Se合金薄膜;利用脉冲电压的占空比可以提高预制膜中的In元素的比例,且随着In含量的增加,CIGS薄膜的结晶性变好;适当延长硒化退火的时间,可以使薄膜晶粒大小均匀,减小内应力,使薄膜的光吸收率提高,以利于制备更高效率的CIGS薄膜太阳电池.