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以压电体(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3和压磁体Co0.85Cu0.15Fe2O4为原料,通过传统的固相反应法制备了(1-x)[(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3]-xCo0.85Cu0.15Fe2O4多铁性复合陶瓷,并使用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、压电测试仪、铁电测试仪和磁电耦合测试仪对物相、显微结构、压电、铁电、磁电耦合性能进行了分析。结果表明,复合陶瓷的相结构保持为(K0.45Na0.55)0.98Li0.02Nb0.77Ta0.18Sb0.05O3和Co0.85Cu0.15Fe2O4两种物相,但两者之间发生了轻微的化学反应。随着Co0.85Cu0.15Fe2O4压磁相含量的增加,复合陶瓷的压电系数从56pC/N减小到21pC/N,剩余极化强度略有降低。在压磁相含量为0.2时可获得4.3mV·cm-1·Oe-1的最佳磁电耦合系数。 相似文献
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采用传统陶瓷制备方法,制备了无铅新压电陶瓷材料Na1/2Bi1/2TiO3-xBaNb2O6.研究了BaNb2O6掺杂对(Na1/2Bi1/2)TiO3陶瓷晶体结构、介电性能与介电弛豫行为的影响.XRD分析表明,在所研究的组成范围内陶瓷材料均能够形成纯钙钛矿固溶体.材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷具有两个介电反常峰Tf和Tm,修正的居里一外斯公式较好的描述了陶瓷弥散相变特征,弥散指数随BaNb2O6掺杂量的增加而增加.该体系陶瓷表现出与典型弛豫铁电体明显不同的弛豫行为,低掺杂量的陶瓷仅在低温介电反常峰Tf附近表现出明显的频率依赖性,而高掺杂的陶瓷材料在室温和Tf之间都表现出明显的频率依赖性.并根据宏畴一微畴转变理论探讨了该体系陶瓷产生介电弛豫的机理. 相似文献
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采用传统陶瓷工艺方法制备了La2O3掺杂(Bi1/2Na1/2)0.94Ba0.06TiOa(BNBT6)无铅压电陶瓷,系统地研究了La2O3掺杂对该体系陶瓷介电、压电性能与微观结构的影响.结果表明:该体系具有很高的压电常数,是单一的钙钛矿结构,La2O3的添加对晶粒生长具有一定的抑制作用,线收缩率和相对密度增大.室温介电常数随着La2O3掺杂量的增加而增大.与不添加La2O3的陶瓷样品相比,添加少量La2O3可以使体系的弛豫特征更为明显.当掺杂量为0.1 wt%时,该体系陶瓷具有较好的综合性能:d3a=160 pC/N,kp=0.322.当掺杂量达到0.5 wt%以后,陶瓷的压电性能严重降低. 相似文献
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利用金相显微镜、透射电子显微镜和拉伸试验等手段,研究了微量Sc对高Cu/Mg比Al-3.5Cu-1.5Li-0.5Mg-0.12Zr合金组织和拉伸性能的影响.结果表明:在Al-3.5Cu-1.5Li-0.5Mg-0.12Zr合金中加入0.10%Sc消除了合金铸态枝晶组织,有效抑制合金再结晶,明显提高了合金的强度和塑性,但晶粒细化效果不明显;添加0.15%和0.25%Sc显著细化合金铸态晶粒组织,塑性随Sc增加而提高,但添加0.25%Sc促进合金再结晶,合金强度显著降低. 相似文献
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The influences of BaCu(B2O5) (BCB) addition on sintering, microstructure and microwave dielectric properties of Li2MgTi3O8 ceramics were investigated using X-ray diffractometry, scanning electron microscopy and microwave dielectric measurements.
The experimental results show that a small amount of BaCu(B2O5) addition can effectively reduce the sintering temperature to 900 °C, and induce only a limited degradation of the microwave
dielectric properties. Typically, the best microwave dielectric properties of ɛ
r=24.5, Q×f =24 622 GHz, τ
f=4.2×10−6 °C−1 are obtained for 1.0% BCB-doped Li2MgTi3O8 ceramics sintered at 900 °C for 3 h. The BCB-doped Li2MgTi3O8 ceramics can be compatible with Ag electrode, which may be a strong candidate for low temperature co-fired ceramics applications. 相似文献
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(Zn_(1/3)Nb_(2/3))~(4+)取代的BNT系无铅压电陶瓷性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用两步合成工艺,制备了新型Bi1/2Na1/2Ti1–x(Zn1/3Nb2/3)xO3(简称BNTZN—100x)系无铅压电陶瓷。研究了B位复合离子(Zn1/3Nb2/3)4+取代量对BNT陶瓷介电及压电性能的影响。结果表明:当0.005≤x≤0.020时,该体系陶瓷具有三方、四方共存的准同型相界(MPB)结构。在MPB附近,具有较佳的压电性能:当x为0.020时,d33为97pC/N,kt为0.47。εr-t曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征。具有高kt值,低kp值;kt/kp较大,具有较大的各向异性,是一种适合高频下使用的优良超声换能材料。 相似文献
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采用固相烧结法制备了(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子掺杂的(Bi_(0.5)Na_(0.5))_(0.94)Ba_(0.06)Ti_(1-x)(W_(0.5)Mg_(0.5))_xO_3(BNBT-x WM)无铅陶瓷,研究了(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子掺杂量对BNBT陶瓷的表面形貌、微观结构,以及铁电、应变、压电、介电等电学性能的影响。结果表明:(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子进入了BNBT陶瓷的B位并形成了单一的钙钛矿结构,且陶瓷样品晶界清晰,结构致密。(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)掺杂增大了剩余极化强度和饱和极化强度。(W_(0.5)Mg_(0.5))~(4+)复合离子的掺杂使电致应变曲线由蝴蝶形变为嫩芽形,在x=0.03时获得0.429%(质量分数)的高电致应变响应,d_(33)*的最大值为833.1 pm/V,其外加高场仅有60 k V/cm。在x=0.02时其低场小信号的压电性能d_(33)有235 p C/N。BNBT-x WM陶瓷的介电常数随着掺杂含量的增多逐渐降低且平坦化,同时向弛豫铁电体转变。 相似文献
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La2O3掺杂(Na0.5 Bi0.5)0.94 Ba0.06 TiO3无铅压电陶瓷的介电弛豫研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用固相合成法制备了La2O3掺杂(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3无铅压电陶瓷.研究了La2O3掺杂对(Na1/2Bi1/2)TiO3陶瓷晶体结构、介电性能与介电弛豫行为的影响.XRD分析表明,在所研究的组成范围内陶瓷材料均能够形成纯钙钛矿固溶体.材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷具有两个介电反常峰Tf和Tm.修正的居里-维斯公式较好的描述了陶瓷弥散相变特征,弥散指数随La2O3掺杂量的增加而增加.掺杂量较低的陶瓷仅在低温介电反常峰Tf附近表现出明显的频率依赖性,随掺杂量的增加,陶瓷材料在室温和低温介电反常峰Tf之间都表现出明显的频率依赖性.并根据宏畴-微畴转变理论探讨了该体系陶瓷介电弛豫特性的机理. 相似文献