多次扫描电子束退火

本文主要介绍多次扫描电子束退火方法的的特点、装置及工艺应用情况。     

电子束退火对非离子注入硅晶体管电特性的影响

本文论述一项迄今未见文献报道的试验。作者将能量在20KeV以下的电子束退火试用于非离子注入的硅低频大功率晶体管和高频小功率晶体管,发现这种低能电子束辐照在某种条件下可以大幅度地降低晶体管的电流放大系数,而在另一种条件下又可以提高晶体管的电流放大系数。不但对浅结晶体管,而且对深结晶体管都有这种效应。研究了放大系数的变化与电子束辐照各工作参数的关系。实验证明:电子束流下降的速率对放大系数降低的幅度有显著的影响。电子束辐照引起电流放大系数下降的同时晶体管的击穿电压BV_(ebo)和BV_(cbo)并不降低,BV_(ceo)还有所提高。在晶体管制造工序中加入电子束辐照,降低了大功率晶体管“云雾”击穿的发生率,提高了产品的合格率。     

用电子束在绝缘体上生长硅

本文介绍用电子束在绝缘体结构上熔化并再结晶多晶硅层以形成单晶硅的方法。形成了低角度晶粒界面或大的平行晶粒的单晶硅膜,其结果类似于其它束和辐照热源工艺所获得的结果。然而,对电子束方法的研究远不如对其它加热源的研究彻底。本文还讨论了电子束相对其它热源的优缺点,并指出了目前的应用状况。     

注砷硅单晶的电子束退火

本文报道使用DT—1型电子束退火机对注砷单晶硅进行扫描电子束退火的实验研究。试验了电子束退火各种条件对结果的影响,以便选择较适宜的退火条件。用背散射法和微分电导法分别测得了未退火和经退火样品的杂质浓度分布和载流子浓度分布,显示出电子束退火的杂质再分布状况,并计算出注入砷的电激活率。此外,还进行了范德堡法霍耳效应测量,得到注入层的平均载流子浓度、平均迁移率和薄层载流子浓度。电子束退火样品与热退火样品作了比较。