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在180-500 K温度范围测量了不掺杂半绝缘GaAs晶体的电阻率和霍耳系数.按结果可把样品分为两类:(一)高阻样品,激活能为0.71-0.64eV,由EL2能级决定;(二)中阻样品,激活能为 0.43 eV和 0.37 eV,由 EL5和 EL6能级决定,这与 Martin 等报道的结果有所不同.热处理实验进一步证实了我们的分析. 相似文献
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研究了用阳极氧化法制备的Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP两种MIS结构的组分分布和电学性质,AES、I-V、C-V和DLTS等测试结果表明,Al_2O_3/InP结构的性能更为优越.用DLTS方法发现这两类样品都具有峰值能量为Ec-Es=0.5eV、俘获截面为~10~(-15)cm~2的连续分布的界面电子陷阱.认为该电子陷阱与磷空位缺陷有关. 相似文献
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用红外局域模方法测定了8个不同的不掺杂半绝缘GaAs样品的含碳(C_(As))量,发现碳浓度均小于5.20×10~(14)cm~3。由1.1μm红外吸收测量和400K霍尔系数测量推算出样品的净受主浓度N_A-No,结果表明所有样品的净受主浓度均大于碳浓度,对于切自晶体下半部的样品,差别可达一个数量级。因此,这些受主必定是碳以外的其他杂质缺陷造成的,其中硼(B_(As))可能是主要因素。 相似文献
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在掺硅分子束外延Al_xGa_(1-x)As中观察到一个持续光电导中心.当组份x=0.25时,热激活能为E_o=0.06eV.为了说明持续光电导主要来自该中心的贡献,必须确证样品不均匀性的贡献是次要的.提出了把迁移率温度关系作为判别标准. 相似文献
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对于中国经济转型的理解主要分两种:第一种是提高消费在GDP中的比例;第二种是引导投资更多地偏向战略性新兴产业,提高我国固定资本存量中战略性新兴产业的占比。这是两个截然不同的命题,二者所需要的条件和基础并不相同。 相似文献
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本文主要利用夹有薄氧化层、势垒高度约为0.65eV的Au/InP肖特基势垒来研究未掺VPE n-InP、未掺及轻掺Fe InP体材料中的深能级.共测到七个电子陷阱和两个空穴陷阱,对其中两个电子陷阱进行了详细的研究.我们在掺Fe晶体中测到一个电子发射激活能为0.69eV的电子陷阱,考虑到其中包含有0.050eV的俘获势垒,则能级值应为0.64eV,这与用Hall方法在掺Fe半绝缘材料中发现的0.65eV能级较一致,所以我们认为该能级与铁有关.另外在所有的材料中都存在0.62eV的电子陷阱,估计该能级与本征缺陷有关. 相似文献