一种适用于GSM/WCDMA的高线性度滤波器及带有消除直流偏置的可变增益放大器

采用SMIC 0.35μm CMOS混合信号工艺,实现了同时适用于GSM/WCDMA的完整的基带.基带由双模的高线性度的四阶切比雪夫形式的有源RC低通滤波器以及三级可变增益放大器构成.滤波器的设计同时满足GSM和WCDMA的带宽性能并且为降低制造成本在两种模式下具有最大的元件共享度.基带由于插入了高通滤波器具有滤除直流的功能,并且为了优化GSM模式下的功耗,运放的带宽做成可调.在最大增益情况下测得的噪声系数在GSM和WCDMA模式下分别为42和27.3dBm.在单位增益的情况下,WCDMA模式下的IIP3为40dBm,功耗为47.0mW;在GSM模式下,IIP3为28dBm,功耗为31.8mW.电源电压为3.3V.     

一种适用于GSM/WCDMA的双模有源RC低通滤波器

设计实现了一种基于SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺的4阶有源RC低通滤波器(LPF)。该LPF同时满足GSM和WCDMA的带宽性能,并且在两种模式下有元件最大的共享度。由于GSM和WCDMA的带宽存在很大的差异,给滤波器的设计带来了很多问题,例如噪声与线性度,功耗和面积等之间的平衡。该滤波器具有高线性度的特点。     

一种适用于GSM/WCDMA的中频滤波器

采用SMIC0.35μmCMOS混合信号工艺,实现了同时适用于GSM/WCDMA的四阶有源RC低通中频滤波器(LPF)。该LPF具有高线性度,同时满足GSM和WCDMA的带宽性能,并且在两种模式下有元件最大的共享度。芯片面积大约1578μm×515μm。为了优化GSM模式下的功耗,运放的带宽做成可调。为了消除温度和工艺等外界因素的影响,采用电容阵列调节滤波器的转角频率以及频响曲线。同时,两种模式下的电容阵列做成部分共用的形式,减少了电阻的使用。测量得到的噪声系数在GSM和WCDMA模式下分别为56dB以及43dB。在WCDMA模式下,IIP3测量得到34dBm,功耗为17.9mW;在GSM模式下,功耗为11.3mW。电源电压为3.3V。     

一种适用于GSM/WCDMA的高线性度滤波器及带有消除直流偏置的可变增益放大器

采用SMIC 0.35μm CMOS混合信号工艺,实现了同时适用于GSM/WCDMA的完整的基带.基带由双模的高线性度的四阶切比雪夫形式的有源RC低通滤波器以及三级可变增益放大器构成.滤波器的设计同时满足GSM和WCDMA的带宽性能并且为降低制造成本在两种模式下具有最大的元件共享度.基带由于插入了高通滤波器具有滤除直流的功能,并且为了优化GSM模式下的功耗,运放的带宽做成可调.在最大增益情况下测得的噪声系数在GSM和WCDMA模式下分别为42和27.3dBm.在单位增益的情况下,WCDMA模式下的IIP3为40dBm,功耗为47.0mW;在GSM模式下,IIP3为28dBm,功耗为31.8mW.电源电压为3.3V.