硅高压整流器件的中子辐照效应研究

本文概述了硅高压整流器件在中子辐照下的损伤机理。通过对器件的物理分析,指出器件在中子辐照下失效的主要原因是少子寿命的降低而导致W/2L的增大,从而使体电阻R_n增大。文章给出了提高器件抗中子辐照性能的设计思想及两种有效的手段,即提高器件的掺杂浓度和降低器件的高阻区宽度。文中还对比了几个加固与未加固器件的中子辐照结果。     

体效应放大器件的热性能研究

研究成功一种脉冲低场电阻测温法,测量了体效应放大器件的有源区温度,计算了器件的热阻。测量装置比较简单,结果比较准确,测量的相对重复误差<10%。进行了降低器件热阻的初步研究,最低热阻 R_(th)<15℃/W,保证了 T51、T52型体效应微波宽带功率放大管的鉴定。最后给出了器件和部件的典型温度特性,满足了 WTF631和 WTF731两种微波宽带体效应功率放大器的产品定型要求。     

2GHz线性输出1.5W硅微波功率晶体管研究

本文介绍双极型晶体管在大信号工作时由于器件内部存在着非线性效应使得输出特性产生了非线性畸变。为了改进器件线性性能,我们采取基区高浓度掺杂,薄而高掺杂的外延层材料提高了器件大电流性能。已研制的器件其参数在2GHz下,P_(-1)≥1.5W、线性增益G_p≥7dB、动态线性范围≥20dB,η_(-1)≥40％。     

耿二极管的热阻测量

从耿二极管长期可靠工作的观点来看,了解耿二极管有源区的工作温度是重要的。通过各种半导体器件的研究业已表明,疲劳失效的平均时间随着有源区的绝对温度而指数地加快。本文讨论了耿二极管热阻的一个精确的测量方法。该方法允许在工作状态下测定有源区温度。     

10GHz3W体效应脉冲功率放大二极管

<正> 一、引言近年来,一种抗干扰能力强的新型雷达系统正在国内研制,其发射机的末级有十～几十千瓦输出功率的行波管放大器,需要瓦级功率来推动。以前采用一级行波管放大器来实现,它需要几组几千伏的高压电源,因此设备复杂庞大、耗电多、寿命短、机动性和可维护性较差,迫切需要一种固态功率放大器件来代替。而国内其他固态器件尚达不到要求,如双极晶