自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究

用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。     

吸水性聚酯纤维的物理性能及服用试验

一、吸水性聚酯的改性目标世界上主要纤维品种的年产量约为3000万吨,其中棉花产量约占二分之一,但棉花产量的增长率极小。从不同地区人均纤维消耗量来看,日本、美国、西欧等国的消费量高达15—25公斤/人,而其它地区则少得多,约为5公斤人/左右;从消耗纤维的品种上来看,在棉花消费量的差别上,不象纤维总消     

光电子集成器件

以光通信应用为中心,研制了激光器,发光二极管,光探测器等半导体光电器件,并且已经用于很多实用化系统。要使这些发光,和探测器件工作,必须要有驱动电路和放大电路。由于半导体光电器件和电子电路之间的互连会直接影响到响应速度和噪声特性,所以这是在系统结构方面必须注意的问题之一。在力求解决这种光一电互连问题的同时,考虑并提出了一种性能更高,功能更多的新一代器件,这就是光电子集成电路。     

富士通

<正> 以低损耗石英光纤的开发为背景,这二十年间,在通信和信息处理系统中,“光”的利用有了急速的进展,现在光系统已广泛地实用化了。在这些系统中,半导体激光器和光电二极管等光半导体器件作为关键器件而被采用,并正进一步向着系统的高速化、大容量化、多信道化和包括信号处理复杂化在内的多功能化,进行着积极的开发。对这些光半导体器件的要求,大多都能用光半导体器件和电子电路的集成化(OEIC)来满足。本来半导体器件就是借助于电子电路进行工作的,但是在过去的系统中,存在技术方面的限制,就是由于在两者接口