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半导体超晶格由两种材料纳米厚度的周期叠层（量子阶和势垒）组成。这种人工晶体的周期d（～5nm）一般都很大于大块晶体的晶格常数（～0．5nm）。这种重叠势将导带和价带分裂成一系列微带的更窄的带（一般在强耦合区为几到几十毫电子伏），沿叠层的法线方向被能隙（微隙）分开。对一选定材料，适当选择叠层厚度能控制微带和微隙宽度，如分子束外延（MBE）之类薄膜晶体生长技术能作原子水平的控制。以量子约束弓愧分立能级为特征的量子阱在光通讯和光记录的半导体激光和其他光电子应用中有广泛的用途，但超晶格在光学器件中的应用十分有限… 相似文献
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