8千兆赫3.9分贝的低噪声晶体管

美国费尔查尔德公司采用基区~(11)B~+离子注入,发射区砷扩散已达到8千兆赫3.9分贝的实验室指标。该公司采用了相当薄的高掺杂的无源基区来降低基极电阻。高浓度无     

一种新颖的GaAsFET超高速逻辑电路

<正> 自1974年Liechti等人提出GaAsMESFET超高速逻辑电路以来,国外相继提出了GaAsMESFET缓冲型场效应管逻辑(BFL)、肖特基势垒二极管场效应管逻辑(SDFL)、低夹断电压场效应管逻辑(LPFL)和直接耦合场效应管逻辑(DCFL)。这些逻辑电路以其各自的优点,目前都得到研究,性能也不断得到提高。据报导,最近法国Thomson-CSF中央研究所提出了一种新颖的GaAsFET逻辑电路结构,称之为“平面二维电子云FET”(planar two dimensional electron gas FET)。这种结构的特点是速度快、功耗低。在每一级功耗为900μW/门和62μW/门时,相应的传     

辐射保藏对食品营养价值的影响

辐射保藏是当今食品保藏重要课题，它有着其它保藏方法所不及的优势，如对食品副作用小，杀菌彻底，货贺期长。但它也不是十分完美的。它对食品的营养价值是影响的通过辐射对食品中氨基酸，蛋白质等成分影响来论述辐射对食品营养价值的影响。     

微波大功率器件的内匹配管壳

据报道,与目前大功率器件所采用的多单元结构和发射极镇流电阻技术相比,大功率晶体管管壳的引人注目的动向是在管壳内部将MOS电容器和键合线准确地插入进行内匹配的技术。其优点是带宽可提高两倍,集电极效率可提高百分之5至10,内匹配比     

1.64千兆赫的MOS分频器

据报导,日本富士通研究所采用SiMOSFET研制了1.64千兆赫1/2分频器(主从型触发电路).由N-MOS结构制成的这一器件,其阶频率首次超过了1千兆赫.贯常的器件采用了硅表面的反型沟道,而这一器件则采用了埋沟型MOS结构.在器件上流过的电流通过整个本体硅.因此,电子迁移率变大,g_m也变大,于是工作速度变快.     

具有与硅互换性的超高速 GaAs LSI

<正> 据报导,日本电气公司研制出在高速计算机领域能够与硅 LSI 配合用的超高速 GaAs LSI.这种与 Si LSI 可互换的 GaAs LSI,其所用电源电压、输入输出信号电平与 Si ECL一致。在电路中所用的单元电路为耗尽型 FET 结构。这种电路由3646个晶体管、1136个二极管以及45个电阻来组成,能完成1013个逻辑门功能。工作速度为硅的4倍(t_(pd)=170ps),功耗为硅的三     

微波有源半导体器件的发展现状

一、前言随着微波技术的迅速发展,半导体微波技术在整机中的应用日益广泛。现代化的整机要求半导体微波技术开辟一些更高的频段以增加通信容量,降低噪声、提高功率以扩大通信距离以及改善工艺以提高可靠性和坚固性。必须指出,在微波频段由于分布电容和寄生参数的存在,管芯管壳电路之间是互相制约的,因此使微波器件部件化、分机化是半导体微波器件发展的必然趋势。当前国外大力发展超级元件和分机的意义也就在这里。微波器件可分为有源半导体器件和无源半导体器件两类。前者包括晶体管、场效应     

国外半导体微波技术发展概况

一、引言目前,半导体微波技术,正在电子对抗、卫星通信、遥控、遥测、相控阵雷达以及民用微波通信等现代化整机方面广泛地得到应用。半导体微波器件的发展,业已促进了整机的固体化和小型化的实现。而现代化的整机,又对半导体微波器件提出了更高的要求。比如在微波波段要有大功率信号源以作固体发射源,又如在微波领域要有低噪声器件以作固体接收部件。目前,在半导体微波器件中进展最快的是微波晶体管。双极晶体管和场效应晶体管     

国外半导体技术发展概况

一、引言自从半导体技术问世以来,由于半导体新理论、新器件、新材料、新工艺和新设备的不断提出和涌现以及这些学科之间紧密配合和互相促进,近年来半导体技术得到了迅速的发展。其典型的例子是半导体器件的迅速进展。半导体器件,以其小型、可靠、高效率和低功耗等优点,有力地促进了整机的发展,深受整机研制单位的重视。比如半导体固体电路技术,小巧玲珑的半导体集成电路已取代了笨     

索尼公司提出了新型双极结构

日本索尼公司采用发射极低浓度结构,研制出可望改变所有双极器件结构的技术。已往的发射区浓度较基区高几个量级,而发射极电流则几乎由发射极注入电流所组成。索尼公司提出的发射区浓度反而比基区低一至二个量级,且在发射区内有电势垒,这一势垒将来自基区的少子予以反射,不许其变成发射极电流成分。这种双极结构是N~+NPN,即发射极由N~+N组成,发射区N的浓度较P低一至二个量级。据称,这种技术的优点在于适合于大量生产,防止发射极陷落效应,发射极掺杂不影响基区浓度的再分布,可防