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本文对实验法向光电子衍射曲线的Fourier变换中类原子强度I_0选取的三条原则作了探讨,并用来确定了吸附系统C(2×2)S(1s)/Ni(001)实验法向光电子衍射曲线的I_0及Fourier变换函数X(k)。由Fourier变换所得到的表面结构常数d_⊥与LEED的结果一致。在相当大的能量范周内将I_0的数值改变10%,Fourier变换的峰值位置移动不大。 相似文献
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利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以SiH4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90%H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90%H2稀释的GeH4为Ge源,变化Si源和Ge源的流量比改变H2分压,以获得SiH4和GeH4(90%H2)的最佳流量比,使外延生长的选择性达到最好.利用SEM观察在不同流量比时,经40min外延生长后各样品的表面形貌,并对其进行比较,分析了H2分压在Si1-xGex选择性外延生长中的作用机理. 相似文献
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高温热氧化中SiO2层厚度的控制研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了Si热氧化的工艺过程和温度曲线,对热氧化生成的SiO2层厚度进行了理论计算和实际测定;并列出了7个SiO2样品的干,湿氧时间,理论计算值,实测值及产生的误差值,多数样件可控制在15%左右(最优达70%);介绍了控制干,湿氧不相互干扰的管路系统,稳定水浴湿度95℃的方法,分析了影响SiO2层厚度的石英管口径及氧气流量等因素。 相似文献
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本文用Xα-SW法研究硅中间隙式4d过渡金属杂质的电子结构.计算结果表明杂质在硅晶体的禁带中引起深能级.和硅中间隙式3d过渡金属杂质的电子结构相比较,我们得到以下两个重要结论:(1)硅中间隙式4d和3d过渡金属杂质性质有类似的化学趋势;(2)发现Pd杂质原子的4d电子态受到周围晶体场作用所产生的位于价带中的成键态dt_2和de(价带中的共振态)有异常大的能量差,即受到很大晶格场劈裂. 相似文献
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用变分法计算了在不同量子阱宽度、不同外电场强度下,Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱中电子、空穴基态能量及激子束缚能的变化规律,并根据所得的Ee、Eh和Eb数据,计算出激子吸收峰的Stark移动。计算结果显示,随着外电场强度和 量子阱宽度的增大,量子Stark效应变得更为显著,本文还把计算所得的Stark移动与从激子吸收光谱曲线中得到的实验数据进行了比较,当阱宽等于9nm,电场为100kV/cm时,两者符合得较好。 相似文献
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二维PSD的结构和性能分析 总被引:12,自引:0,他引:12
从二维PSD的结构和性能的比较出发,对枕型结构PSD的性能作了理论上的推导和分析,此由得到的结论和现有的实验结果相符。 相似文献
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基于半导体横向光电效应的位置敏感探测器 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了基于半导体横向光电效应的位置敏感探测器(PSD)的发展、工作原理及应用,展望了PSD的研究动态和发展前景。 相似文献