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浅谈低功耗液晶显示屏的设计技术 总被引:1,自引:0,他引:1
当今信息社会中,随着通信信息化的飞速发展、信息摄取以及信息交换次数的增多,人们越来越频繁地面对各式各样的显示装置,电子技术领域不可避免地面临着便携式信息设备的低成本、低功耗、轻薄等概念课题,市场上越来越趋向于液晶显示屏(LCD)的高清晰度、高分辨率、低功耗等,使得其应用前景非常广阔。本文从各个方面分析,总结现有低功耗设计的优缺点,包含PCBA最佳设计、高效率的驱动IC,面板驱动方式、背光、新接口设计以及面板与后端系统的优化搭配等。最后把现有低功耗技术都应用在一起,实现超低功耗技术,其中包含PCBA选择低静态功耗的元件,高效率的电源驱动;高效率的驱动IC,如正负压模拟电压驱动、半模拟电压驱动;面板走线采用新架构设计:像Z-Inversion或者H-Inversion。 相似文献
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非对称锚定制备均匀单畴排列铁电液晶器件 总被引:3,自引:1,他引:2
为了消除chiral nematic-chiral smectic C(N*-SmC*)相序铁电液晶从N*相降温到SmC*相时形成的两畴织构缺陷,提高液晶的响应速度,选用铁电液晶R-2301以及两种取向剂SE-410和RN-1199制备了5种铁电液晶样品器件。实验后,对5种器件的排列织构的正交偏光显微镜照片进行对比,得出通过非对称边界锚定作用可以得到均匀单畴排列的铁电液晶器件的结论。实验结果表明:经过非对称边界锚定作用可以得到电光曲线为半"V"字型且静态对比度为300:1的均匀单畴排列铁电液晶器件。这一结论和理论近似计算结果相吻合,为N*-SmC*相序铁电液晶器件实现单畴排列制备提供了新的方法和途径。 相似文献
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非直流电压对N*-SmC*相序铁电液晶排列的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
半"V"字形铁电液晶器件中使用N* -SmC*相序的铁电液晶材料,获得此种器件单畴排列的常用方法是在N*-SmC*相变过程中施加直流电压,但是这种方法引入了损害器件性能的剩余电荷.通过研究在相变过程中施加各种非直流电压对液晶排列织构的影响,发现直流电压不是得到N*-SmC*相序的铁电液晶均一排列的必要条件,通过选择双极性电压为V1=7V/μm,V2=3 V/μm,一个脉冲周期20 ms内施加双极性电场时间比为D1/D2=3/7,不仅获得了电光特性曲线不存在迟滞回线的均一层排列器件,同时也解决了剩余电荷对器件的影响. 相似文献
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