层状材料二硫化钛单晶的制备

用碘输运法,采用三温区工艺合成和生长 TiS_2单晶。作为高温反应区的中区保持1000℃,两端交替地作为硫冷凝区和供硫区。合成阶段,两端区的温度按一定程序升温,最后直至分别为800℃和900℃。晶体生长阶段,生长区的温度在800℃作±10℃的摆动,用这种温度摆动工艺得到金黄色的片状单晶,最大晶片的面积达10×5毫米~2。晶体经 X 射线衍射分析、扫描电镜观察,看出 TiS_2的特征谱线和六角形层状图象。经化学分析和电子探针微区分析表明符合化学计量比。测得 a 轴和 c 轴的电阻率分别为10~(-3)—10~(-4)和10~(-1)—10~(-2)欧姆·厘米。会聚束电子显微镜作精细结构衍射分析拍得非常清晰的六重对称图案,表明结构完整性很好。制成 Li 电池,能量密度达296瓦·时/公斤,可逆性较好。     

INFLUENCE OF OXYGEN PRESSURE IN THE SINTERING PROCESS OF Y-Ba-Cu-O SUPERCONDUCTOR

用Y_2O_3、BaCO_3和CuO 为原料,按Y∶Ba∶Cu=1∶2∶3配比,故体组成应是YBa_2Cu_3O_(6.5+x),此外x 值为除原料引入的氧之外的氧量,它是可以被酸释放出的氧(称之为“酸可释氧”),是决定材料超导性的主要因素。本文研究了在制备过程中烧结时氧压对x 值的影响,实验表明,x 约≥0.37的样品才有液氮温度超导,通氧和加高氧压可使x 值达0.37—0.46,x 随氧压增大而增加,直到1000kPa 时达0.46,材料的零电阻温度为91.5K。     

GaAs(110)表面自体氧化层的XPS研究

用XPS研究了不同表面处理后GaAs(110)表面自体氧化层及其与GaAs衬底间的界面特性,初步探讨了自体氧化层的形成过程。     

硅珠的形成及太阳电池（组件）

将Ｓｉ３Ｎ４与Ｓｉ粒混合，在单晶炉或快速热退火炉中分别集装熔化法或平铺熔化法，制备太阳电池用硅珠，试验了不同工艺条件对硅珠品质的影响，并制作了硅珠太阳电池（组件）。     

定向凝固法生长太阳电池用多晶硅的经济分析

本文分析了用定向凝固法生长太阳电池用多晶硅的优点,与复拉单晶相比,其成本可下降4％以上,最多可降低20％。     

氧等离子体条件下GaAs的阳极自体氧化

本文实验装置使用1.5～2MHz高频振荡器,在低氧压下辉光放电产生氧等离子体对GaAs进行自体氧化。观察了高频电场、阳极偏压、加热温度等条件对氧化速度、氧化物均匀性等的影响,分析了氧化物的结构与组成及电性能,园满地制备出大面积GaAs自体氧化物。 所用GaAs样品为:n型<100>晶向,N_d≈10~(17)cm~(-3),φ35圆片。晶片由机械-化学抛光后溶剂脱蜡,再用H_2SO_4:H_2O_2:H_2O=4:1:1(体积)溶液腐蚀,冷、热去离子水漂洗。 在阳极偏压 45V,加热温度170℃时氧化速度为120[A/分],氧化物折射率为1.83～1.85(波长6328A),电阻率大于10~(15)Ω·cm,击穿电场强度 为±10~6V·cm~(-1),给出了MOS C-V,I-V特性,电子衍射图和俄歇电子能谱分析结果。     

大面积砷化镓的等离子体氧化及氧化层的AES和XPS分析

用高频辉光放电产生氧等离子体进行GaAs阳极氧化,直径40mm的晶片上可生长出均匀的无定形氧化膜,击穿电场强度±10~6V·cm~(-1),电阻率 10~(15)Q-cm,折射率1.83-1.85(λ=6328(A|°)). 根据AES-XPS的分析,刚生长的阳极氧化层,沿深度可分为三层,第一是缺砷层,靠近表面,厚度～100(A|°);第二层是中心区,组成几乎不随深度变化,Ga/As原子比1.2—1.6,用XPS发现此层的As为未氧化的砷和As_2O_3的砷,第三层是从氧化物到GaAs的过渡区,氧浓度开始下降,此层富砷,而且存在元素砷.在300℃氮氛下退火一小时,可得到过渡区变薄且组成匀一的层.     

蒸发氧化铟薄膜的电子能谱研究

用电子能谱研究了蒸发制备的氧化铟薄膜在空气中退火前后的特性。结合电镜观测,表明蒸发膜中的金属铟粒经退火后基本消除,薄膜透射率明显提高。     

太阳电池用的定向凝固多晶硅锭

本文报道了用定向凝固工艺在石墨模具中熔铸硅锭的试验,利用脱模剂成功地解决了高温熔硅和铸硅脱模的难题,模具可使用十多次,能稳定地制备完整的无气孔、无裂缝的圆锭和方锭。方锭典型尺寸为125×125×90和50×50×70mm两种。晶粒形状为平行于生长方向的柱状,晶粒平均宽度为毫米级,最大达5mm。用常规工艺做成2×2cm的太阳电池,25℃,AM1.5条件下的转换效率平均为10.6％,最高达12.5％。脱模剂的纯度对晶片的腐蚀“花纹”有明显影响,“花纹”主要通过n~ /p结的漏电导致开路电压和填充因子的下降。     

烧结过程中氧压对钇钡铜氧超导材料的影响

用 Y_2O_3、BaCO_3和 CuO 为原料,按 Y∶Ba∶Cu=1∶2∶3配比,故体组成应是 YBa_2Cu_3O_(6.5+x),此外 x 值为除原料引入的氧之外的氧量,它是可以被酸释放出的氧(称之为“酸可释氧”),是决定材料超导性的主要因素。本文研究了在制备过程中烧结时氧压对 x 值的影响,实验表明,x 约≥0.37的样品才有液氮温度超导,通氧和加高氧压可使 x 值达0.37—0.46,x 随氧压增大而增加,直到1000kPa 时达0.46,材料的零电阻温度为91.5K。