磨料和H_2O_2对InSb CMP效果影响的研究

InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素.采用化学机械抛光(CMP)技术对InSb进行表面加工,分析了CMP过程中抛光液的磨料质量分数和氧化剂含量对InSb的CMP效果的影响规律,实验研究了磨料和氧化剂(H2O2)的优化配比参数,并在此参数下,获得了良好的抛光表面.     

考虑桩身自重影响的超长桩屈曲分析

由于超长桩的桩身自重较大,其对超长桩稳定性有重要影响。已有的研究大多只考虑桩侧土抗力的影响,能同时考虑桩侧土抗力和桩身自重两个影响因素的超长桩屈曲荷载计算公式目前还很少报道。本文同时考虑桩侧土抗力和桩身自重的影响,通过选择合适的桩身挠曲变形函数及桩侧土弹性抗力模式,基于能量法给出了顶部有集中荷载、部分埋置于Winkler地基中超长桩的屈曲荷载和计算长度的解析表达。最后分析了桩侧土抗力和桩身自重对屈曲荷载的影响。结果表明桩侧土抗力是影响屈曲荷载的主要因素。当桩身埋置率(h/L)较低时,桩身自重对屈曲荷载的影响不容忽视;但随埋置率的增加,桩身自重对屈曲荷载的影响甚微。     

槲疃山体滑坡边坡加固监测变形稳定性分析

安全监测是公路侧山体滑坡加固工程建设中不可分割的一部分,它对于查明高边坡的工作性状、评价高边坡的安全稳定性和验证设计都是十分必要的。本文在对槲疃山体滑坡边坡加固工程进行安全监测的基础上进行了边坡的稳定性分析。     

黄土在受力和湿陷过程中微结构变化的CT扫描分析

进行了原状黄土三轴剪切、浸水湿陷试验过程的CT扫描，根据CT图像、数据，利用损伤理论，分析了原状黄土在以上过程中的微结构变化。认为由于围压没有超过结构强度的临界值，损伤破坏表现出软化开裂破坏，整个过程是由轴向压密损伤为主导向横向开裂损伤为主导的转变过程，裂缝首先在结构强度较低的低密软弱大孔隙区域形成，随后衍生出一系列小裂缝，最终形成剪切面。硬化屈服损伤破坏后期的强度增长是靠材料的挤压导致的密度提高和截面积的增长来共同维持的，并稳定在一个水平上。由试验可知，原状黄土在湿陷过程中发生了某些物理化学变化，大孔隙对黄土的湿陷没有必然的贡献。     

桡动脉入路室间隔缺损封堵术初步临床应用

【摘要】 目的 探讨经桡动脉联合股静脉入路行室间隔缺损（VSD）封堵术的可行性和有效性。方法入选2017年6月至11月收治的11例先天性VSD患者（嵴内型3例、膜周部8例,3例伴发膜部瘤）,均接受经桡动脉入路VSD封堵术。患者平均年龄（37.82±12.44）岁,平均体重（62.79±14.95） kg,经胸壁超声心动图（TTE）显示平均VSD直径（5.87±1.91） mm。术中通过TTE和左心室造影评价封堵效果。术后24 h,1、3、6个月随访患者心电图、TTE。结果 10例患者成功完成封堵,1例因导丝无法通过缺损而转入外科手术。植入封堵器平均直径（7.50±3.60） mm,平均手术时间（47.20±5.45） min,平均透视时间（13.00±3.65） min,术后平均卧床时间（99.00±11.97） min。2例术中发生桡动脉痉挛。10例患者平均随访（3.50±1.90）个月,均未发生封堵器脱落、残余分流、房室传导阻滞、主动脉瓣返流和桡动脉闭塞等并发症。结论 经桡动脉联合股静脉入路VSD封堵术是一种安全有效的治疗方法,值得临床推广应用。
     

消防大队指挥中心建设思考与实践

消防指挥中心是消防机构信息的中枢,承载各类信息、指令的上传下达,是消防指挥调度的核心机构。随着我国经济的飞速发展,县(区)消防大队对消防指挥调度的需求与日俱增,现有消防站通信室从功能设置、职能定位都不能满足日益增长的消防工作需求,为满足消防指挥调度、火灾防控管理等业务的需求,在消防大队建立指挥中心的需求更加迫切。     

碱性抛光液对硬盘基板抛光中表面状况的影响

阐述了化学机械抛光(CMP)技术在硬盘基板加工中发挥的重要作用,介绍了SiO2碱性抛光液的化学机械抛光机理以及抛光液在化学机械抛光中发挥的重要作用。使用河北工业大学研制的SiO2碱性抛光液对硬盘基板表面抛光,分析研究了抛光液中的浓度、表面活性剂以及去除量对抛光后硬盘基板表面状况的影响机理。总结了硬盘基板表面粗糙度随抛光液中的浓度、表面活性剂及去除量的变化规律以及抛光液的这些参数如何影响到硬盘基板的表面状况。在总结和分析这些规律的基础上,对抛光结果进行了检测。经检测得出,改善抛光后的硬盘基板表面质量(Ra=0.3926nm,Rrms=0.4953nm)取得了显著效果。     

用碱性纳米SiO2浆料对计算机硬盘NiP基板进行CMP超精密加工的研究

采用碱性纳米SiO2浆料对计算机硬盘NiP基板进行CMP超精密加工,与酸性浆料对比,在平整度PV、均匀度rms和粗糙度RA均获得显著提高。     

Si单晶片切削液挂线性能的研究

Si片线切割过程中,切削液的挂线性能直接影响切片表面质量、切片速率、线锯寿命以及晶片成品率.为满足超大规模集成电路对Si衬底表面质量的要求,改进线切割液的性能,对影响线切割液性能的因素进行了分析,并通过实验对线切割液的挂线性能进行了研究,找到了比较适合Si片切割且挂线性能较好的切削液配比.     

计算机硬盘NiP基板CMP机理及技术研究

目前,大多数计算机硬盘采用镍磷敷镀的铝合金作为磁盘盘片,并采用化学机械抛光(CMP)技术作为盘片最终的精抛光.通过对镍磷基板的化学性质分析,讨论了其CMP机理,指出在整个反应过程中,化学反应速率是慢过程,它决定了最终的CMP速率,如何使络合反应迅速向右进行将成为CMP的关键.通过分析浆料在硬盘基板CMP中的重要性,指出浆料的化学成份是化学作用的关键.通过分析氧化剂、pH值、活性剂及螯合剂的影响作用,研制了新型碱性浆料,其中磨料为硬度较小粒径40 nm的SiO2水溶胶,氧化剂为H2O2,FA/O活性荆与螯合剂,并首次选用有机碱作为pH值调节剂.利用配制的抛光液通过CMP实验确定氧化剂含量为15 ml/,L,pH值为11,磨料浓度为20%时,获得的速率可达550 nm/min以上,粗糙度降至1.1 nm.