高阻带高可靠LC滤波器的设计与实现

采用椭圆函数对基于切比雪夫函数的谐振器进行改进,再级联低通滤波器,设计了具有高阻带特性的电路拓扑.基于可制造性分析(DFM)技术设计了印制线路板,通过表面贴装、手工焊、再流焊及调试等工序制作了LC滤波器.实验结果表明,所制作的LC滤波器近端阻带抑制大于50 dBc,远端阻带抑制大于65 dBc,且具备高可靠性.     

一种基于L波段混频组件电磁屏蔽腔的设计

采用屏蔽腔的方法解决L波段混频组件的电磁兼容问题,通过HFSS软件计算分析优化屏蔽腔的连接结构,对连接结构的分析找到一种适用于L波段的电磁屏蔽腔外壳设计。最终根据此设计加工出用于L波段混频组件的带电磁屏蔽腔的组件外壳,经过电路的装配与封装测试达到了解决组件电磁兼容问题的目的。     

自动化SAW无线高度表激励源的研制

以声表面波(SAW)延迟线为核心技术,研制出大带宽、小带内波动和长延时的延迟线;通过优化延迟线连接方式和对嵌入式系统及通信系统的研究,研制出1 m步进,1～8 000 m连续可调,200 MHz带宽(3 dB)的C波段高度表激励源.该系统具有小型化,多功能性,通用性和自动化测试的特点.     

SiO2/W反射叠层的分布电容对体波谐振器的影响

该文使用SiO₂和金属材料钨（W）构造布喇格反射叠层,将其应用于由横向电场激励体声波谐振器（XBAR）,并分析了金属层对谐振器性能的影响。所设计的谐振器以128°YX-切铌酸锂为压电层,Al为电极,SiO₂和W为周期层叠结构,单晶硅作为衬底的固态装配型谐振器（SMR）,利用叉指电极换能器（IDT）激发出A1模式。首先计算声阻抗层厚度对SiO₂/W叠层传输系数的影响,得到中心频率为3.7 GHz的布喇格阻带。横波（主模）在经过叠层时被反射,纵波（杂模）则部分地泄露到衬底。由于钨具有电导性,致使IDT与钨之间形成并联分布电容,改变了原有的电场分布,导致谐振器的耦合系数下降。通过实验测试谐振器的实际性能,获得耦合系数为12%。虽然W具有高声阻抗,但分布电容的影响恶化了电气参数。     

目标模拟器的快速校准方法设计与实现

针对传统目标模拟器的模拟高度校准周期长、校准精度不高的问题,提出了一种目标模拟器模拟高度的快速校准方法,并通过一台大量程、高精度的目标模拟器进行了验证。经过理论与实践分析,这种方法能够快速、准确地实现目标模拟器的校准。     

一种基于L波段混频组件电磁屏蔽腔的设计

采用屏蔽腔的方法解决L波段混频组件的电磁兼容问题,通过HFSS软件计算分析优化屏蔽腔的连接结构,对连接结构的分析找到一种适用于L波段的电磁屏蔽腔外壳设计。最终根据此设计加工出用于L波段混频组件的带电磁屏蔽腔的组件外壳,经过电路的装配与封装测试达到了解决组件电磁兼容问题的目的。     

一种数字式微波延迟线设计

通过混频将微波信号下变频到中频,在中频进行数字化,并采用循环存取法完成数字信号延迟处理,最后再将数字信号还原成模拟信号并上变频回与输入信号频率相同的微波频段,最终设计出频率4 300MHz、带宽70MHz、最大延迟时间50μs、延迟步进5ns的微波频段延迟线,该产品有很好的直通及三次信号抑制性能。     

基于HCT-FEM和3D电磁模型的SAW滤波器性能仿真系统

该文基于分层级联有限元(HCT-FEM)和三维电磁模型构建了一套声表面波(SAW)滤波器性能仿真系统。采用Matlab协同COMSOL建立的HCT-FEM模型计算声学元件导纳,用ANSYS建立的三维电磁模型计算含芯片走线、引线/金属球、封装外壳及测试电路的外部电磁S参数,并在ADS软件中对SAW滤波器频率响应进行复原。将该系统应用于一款芯片级封装(CSP)的普通SAW滤波器和一款表贴封装(SMD)的单晶薄膜SAW滤波器电性能仿真,仿真与实测结果吻合较好。     

陶瓷介质滤波器焊接工艺技术研究

针对陶瓷介质滤波器装配焊接过程中出现介质胚体开裂的问题,通过对裂纹特征观察和材料物理性质分析,在金属屏蔽罩装接、印制板焊盘设计和回流焊工艺等方面进行改进。对焊接后的器件进行温度和力学等可靠性试验,产品测试合格率为100%,破坏性物理分析(DPA)剖样观察到介质滤波器不存在开裂或微裂纹的失效隐患。结果表明,该焊接工艺能解决陶瓷介质滤波器的焊接裂纹问题,实现了较高的产品可靠性。     

基于ADS的数字调谐跳频滤波器设计方法

介绍了基于ADS的数字调谐跳频滤波器仿真设计方法。根据集总元件耦合谐振器滤波器理论计算出滤波器仿真参数,应用ADS对包括微带线、PIN二极管等参数模型的滤波器电路模拟仿真,解决数字调谐跳频滤波器电容阵列的取值问题。结合ADS仿真数据和实物测试结果,验证了该方法的有效性。