射频磁控溅射 Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜表层的XPS研究

用射频磁控溅射在Pt／Ti／SiO2／Si基体上沉积Ba0．6Sr0．4TiO3（BST）薄膜，用X射线光电子能谱（XPS）研究BST薄膜表层在常规晶化和快速晶化条件下的结构特征．结果表明，常规晶化时，BST薄膜表层约3-5nm厚度内含有非钙钛矿结构的BST，随着温度的升高该厚度增加；快速晶化时，该厚度减薄至1nm内，随着温度的升高没有明显增加．元素的化学态分析结果表明，非钙钛矿结构的BST并非来自薄膜表面吸附的CO和CO2等污染物，而与表面吸附的其他元素（如吸附氧）对表层结构的影响有关．GXRD和AFM表明，致密的表面结构能有效的阻止表面吸附元素在BST膜体中的扩散，从而减薄含非钙钛矿结构层的厚度．     

平板显示器件通用驱动电路IP核的设计

介绍了一种全新的平板显示器件通用驱动电路IP核的总体设计。采用自顶向下的设计方法将其划分为几个主要模块，并分别介绍各个模块的功能，用VHDL语言对其进行描述，并用FPGA实现。通过仿真验证，该IP核具有良好的移植性，规模可调，可用于多数不同种类和不同规模的平板显示器件。     

ZrO2添加对MnZn铁氧体磁性能温度特性的影响

采用固相反应法制备了分子式为Mn_(0.711)Zn_(0.206)Fe_(2.083)O_4的MnZn软磁铁氧体,研究了ZrO_2添加对材料显微结构及磁性能温度特性的影响。结果表明,随着ZrO_2添加量的增加,MnZn铁氧体电阻率单调增大,密度、起始磁导率和饱和磁感应强度先增大后减小,剩余磁感应强度、矫顽力和总损耗(100 kHz,200 mT,25℃)先减小后增大。当ZrO_2添加量为0.01 wt%时,密度达到最大,起始磁导率和饱和磁感应强度在25～120℃宽温度范围均达到最大值,总损耗在25～120℃宽温度范围均有最低值。