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短沟道效应对器件性能的影响不可忽略,高k/金属栅极(High-k/Metal Gate,HKMG)器件可以很好地抑制短沟道效应。HKMG器件中金属栅极的制备工艺有前栅极制造工艺和后栅极制造工艺,其中虚拟栅去除(Dummy Poly Removal,DPRM)过程是后栅极制造中一道至关重要的制程。由于P型MOS管和N型MOS管的金属栅极填充材料不同,制造工艺中要先完成一种MOS管金属栅极的制作再进行另一种MOS管金属栅极的制作,DPRM后N型MOS管和P型MOS管交界处的结构形貌会直接影响金属栅极的填充,进而影响器件性能。在电子回旋共振刻蚀等离子体源条件下,探究DPRM工艺中过刻蚀过程的关键参数对NMOS管和PMOS管交界处结构形貌的影响,进而总结出减弱N/P型MOS管交界处侧向凹陷程度的工艺条件。 相似文献
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近年来,随着科技进步和人民生活水平提高,以服装为代表的纺织产品更新换代的速度越来越快,并因此产生了大量的废旧服装。从发展循环经济的角度来说,回收再利用废旧纺织品服装意义重大。文章采用线上问卷调查的方式了解了当前居民废旧服装回收再利用的情况并分析其背后原因。调查结果显示:中青年人比较关注此类问题,废旧服装回收利用并未在大众中普及,消费者对二手或再生服装的接受度较差,目前国内的废旧服装回收再利用情况仍不容乐观。在数据分析和文献调研的基础上,文章总结了当前国内废旧服装回收再利用存在的主要问题,并提出了一些建议。 相似文献
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