双极型IC核辐射下的瞬时损坏＊

本文从连续性方程和粒子通量方程出发,导出了矩形y辐射脉冲作用下双极器件中光电流的数学模型;论述了扩散电阻的光电流效应和电导调制效应,以及扩散电阻随γ剂量率变化的模型。最后给出了集成稳压电源的模拟数值与现场辐射结果的比较,并据此提出了双极型IC抗γ辐射的加固建议。     

中子辐射下双极IC放大性能的变化

文中从单个晶体管不同工作电流下中子辐射时损伤常数的预估着手,推出一套适用于计算机模拟的数学模型、实验方法,由辐射下的瞬时电流即时地计算出相应的损伤常数,计算出晶体管的β降低值,以此来预知双极ＩＣ在中子辐射时的性能变化。     

一种动态密度和约束的四边布线程序

本文介绍一种新的四边通道布线器(DDCR),该布线器基于启发式原则提出,并应用动态布线密度和约束图完成线网定序和连线段选择。DDCR是H/V方式布线,该程序由C语言写成,运行于VAX11/780VMS下,可与BBL2布图系统配套使用,通过对许多例子试验,其效果是满意的。     

Si-栅MOSFET抗总剂量加固技术

ＭＯＳＦＥＴ总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的ＮＭＯＳ,ＰＭＯＳ管,分析其辐照响应,并借用亚阈值Ｉ－Ｖ技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值电压漂移的贡献,得出较佳的干氧抗总剂量加固工艺条件。     

布图CAD—模拟ASIC发展的关键

本文强调布图CAD技术对发展模拟ASIC的重要性和必要性。简述通用电路布图CAD各阶段内容及其算法。着重讨论模拟ASIC布图的特殊性及其典型模式。     

用最短路径法选择布线路径

本文对详细布线介绍一种用最短路径的方法选择布线路径,重点提出了几条启发式的布线原则和函数表达式。通过组建一张带权有向图,然后用最短路径算法获得布线解。本文的方法巳在DDCR四边布线器中用C语言实现。     

双极器件的快中子辐照损伤

从双极器件在快中子脉冲辐射下Ｆｒｅｎｋｅｌ缺陷的产生及其退火机理出发，推导出器件β在中子脉冲作用下随ＡＦ（ｔ）和电荷浓度变化的数学模型。同时，给出器件中子脉冲作用下退火规律研究的实验方法及实验结果。