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以Czochralski技术生长Mg(2mol%)Er(1mol%)LN,Mg(4mol%)Er(1mol%)LN,Mg(6mol%)Er(1mol%)LN,Mg(8mol%)Er(1mol%)LN和Er(1mol%)LN晶体.测试了MgErLiNbO3晶体的红外光谱,Mg(2mol%)ErLN,Mg(4mol%)ErLN
OH-吸收峰在3486cm-1附近,Mg(6mol%)ErLN和Mg(8mol%)ErLN晶体OH-吸收峰移动到3535cm-1附近,对MgErLN晶体OH-吸收峰移动机理进行研究.采用m线法测试MgErLN晶体光损伤阈值.Mg(6mol%)Er(1mol%)LN和Mg(8mol%)ErLN晶体光损伤阈值比ErLN晶体提高两个数量级以上.Mg(2mol%)ErLN和Mg(4mol%)ErLN晶体比Er(1mol%)LN晶体提高一个数量级. 相似文献
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以Y36°钽酸锂(LiTaO3,LT)晶片为研究对象,通过对同成分LT晶片(CLT)和深度还原黑色u'晶片(BLT)的比较研究,探讨了表面还原处理对钽酸锂晶片电学性能的影响.X射线衍射研究显示,还原处理对晶体结构没有明显影响.BLT的电导率比CLT明显高4个数量级,达到7.7×10-12 Ω-1·cm-1,其压电常数d33、居里温度和介电常数与CLT相差不大,介电损耗有所提高.研究结果表明,还原处理不改变晶体结构,但能提高晶片表面的电导率,从而改善和消除晶片在器件制备过程中因热释电效应引起的放电现象. 相似文献
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在LiNbO3中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol%)LN,Mg(3mol%)LN,Mg(5mol%)LN,Mg(7mol%)LN,和Mg(9mol%)LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长条纹等缺陷.生长出高质量高掺镁LiNbO3晶体.测试MgLiNbO3晶体的红外光谱,当Mg2+的浓度达到或超过阈值浓度的MgLiNbO3晶体,OH-吸收峰移到3535cm-1,晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高两个数量级以上.测试MgLiNbO3晶体的倍频性能(相位匹配温度,倍频转换效率)MgLiNbO3晶体的相位匹配温度随Mg2+浓度的增加而改变,Mg(5mol%)LN,晶体的相位匹配温度达到116℃,Mg(9mol%)LN晶体在室温附近. 相似文献
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本文介绍了采用Czochraeski法生长4英寸X轴铌酸锂晶体,分析了温场、籽晶对晶体生长成功率的影响。得出了通过建立较小的径向温度梯度,合适的轴向温场;选用优质籽晶;采用合理极化工艺可得到较高生长成功率的结论。 相似文献
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