热中子辐照GaAs损伤研究

在热中子与快中子成份比大于７０的条件下，用６．５×１０１６ｃｍ－２和６．５×１０１８ｃｍ－２剂量水平辐照纯净ＧａＡｓ样品，研究由于嬗变产生的杂质和损伤。所得结果表明：热中子对Ｇａ、Ａｓ发生俘获核反应，其最终稳定产物Ｇｅ作为两性杂质元素被导入；复杂的移位缺陷形成及其热行为是影响辐照后ＧａＡｓ电学性质变化的重要因素。     

STOPPING POWERS OF HEAVY IONS IN SILVER

With the method of Rutherford backscattering of heavy ions from heavy substrate, the stopping powers of 11B, 12C and 19F in silver film were measured at energies from 0.11-0.53 MeV / u. The results are compared with the previous experimental data and the semiempirical calculations of TRIM-90.     

In situ Observation of Thermal Behaviour of Implanted He in Ti by Means of Enhanced Proton Elastic Backscatt

ＩｎｓｉｔｕＯｂｓｅｒｖａｔｉｏｎｏｆＴｈｅｒｍａｌＢｅｈａｖｉｏｕｒｏｆＩｍｐｌａｎｔｅｄＨｅｉｎＴｉｂｙＭｅａｎｓｏｆＥｎｈａｎｃｅｄＰｒｏｔｏｎＥｌａｓｔｉｃＢａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ（ＥＰＥＢＳ）ＸｉａＺｏｎｇｈｕａｎｇ，ＳｈｅｎＤｉｎｇｙ...     

空心阴极离子淀积TiN薄膜特性研究

本文用空心阴极离子淀积系统,在氮和氩的混合气体中淀积了TiN薄膜.X射线衍射方法、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法用来研究分析了TiN薄膜的结构、组分和薄膜电阻率.该TiN薄膜有很低的电阻率,其电阻率约为25μΩcm.Al/TiN/Si金属化系统经550℃、30分钟热退火后,卢瑟富背散射(RBS)分析结果表明,没有发现互扩散现象,说明TiN在硅集成电路中是一种良好的扩散势垒材料.     

反应溅射氮化钨薄膜特性研究

本文采用两种溅射系统:射频磁控溅射系统和S枪溅射系统淀积了氮化钨薄膜。X射线衍射方法(XRD)、俄歇电子谱(AES)和电学测量等方法用来分析了氮化钨薄膜的组分、晶体结构和薄膜的电阻率。并研究了氮在氮、氩混合气体中的不同流量比对氮化钨薄膜特性的影响。用卢瑟福背散射(RBS)方法对比研究了纯钨薄膜和氮化钨薄膜在Al/W/Si和Al/WN_x/Si两种金属化系统中的扩散势垒特性。分析结果表明,Al/W/Si金属化系统经500℃、30分钟热退火后,出现了明显的互扩散现象;而Al/WN_x/Si金属化系统在550℃、30分钟热退火后,没有发现互扩散的迹象,说明氮化钨在硅集成电路中是一种有效的扩散势垒材料。